SG3525应用电路图为此，美国硅通用半导体公司推出了，以用于驱动N沟道功率MOSFET8.pdf

SG3525中文资料 引脚图 应用电路图 随着电能变换技术的发展，功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用 为此，美国硅通用半导体公司推出了SG3525 ，以用于驱动N沟道功率MOSFET SG3525是一种性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片， 它简单可靠及使用方便灵活，输出驱动为推拉输出形式，增加了驱动能力；内 部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM锁存器，有过流保护功能，频率 可调，同时能限制最大占空比。其性能特点如下： 1)工作电压范围宽： 8 ～35V 2)内置5 ．1 V±1 ．0％的基准电压源 3)芯片内振荡器工作频率宽100Hz ～400 kHz 4)具有振荡器外部同步功能 5)死区时间可调。为了适应驱动快速场效应管的需要，末级采用推拉式工作电 路，使开关速度更陕，末级输出或吸入电流最大值可达400mA 6)内设欠压锁定电路。当输入电压小于8V时芯片内部锁定，停止工作(基准源及 必要电路除外) ，使消耗电流降至小于2mA 7)有软启动电路。比较器的反相输入端即软启动控制端芯片的引脚8 ，可外接软 启动电容。该电容器内部的基准电压Uref由恒流源供电，达到2 ．5V的时间为t =(2 ．5V ／50μA)C ，占空比由小到大(50％)变化 8)内置PWM(脉宽调制)。锁存器将比较器送来的所有的跳动和振荡信号消除 只有在下一个时钟周期才能重新置位，系统的可靠性高 l 脉宽调制器SG3525简介 1 ．1 结构框图 SG3525是定频PWM电路，采用原理16引脚标准DIP封装。其各引脚功能如图 1所示，内部原理框图如图2所示 1 ．2 引脚功能说明 直流电源Vs从脚15接入后分两路，一路加到或非门；另一路送到基准电压稳压 器的输入端，产生稳定的元器件作为电源。振荡器脚5须外接电容CT ，脚6须外 接电阻RT。振荡器频率厂由外接电阻RT和电容CT决定， 振荡器的输出分为两路，一路以时钟脉冲形式送至双稳态触发器及两个或非门 ；另一路以锯齿波形式送至比较器的同相输入端，比较器的反向输入端接误差 放大器的输出，误差放大器的输出与锯齿波电压在比较器中进行比较，输出一 个随误差放大器输出电压高低而改变宽度的方波脉冲，再将此方波脉冲送到或 非门的一个输入端。或非门的另两个输入端分别为双稳态触发器和振荡器锯齿 波。双稳态触发器的两个输出互补，交替输出高低电平，将P我M脉冲送至三极 管VT1及VT2的基极，锯齿波的作用是加入死区时间，保证VT1及VT2不同时导 通。最后，VTl及VT2分别输出相位相差为180°的PWM波 2 系统结构设计 本电源输入电压是由带隔离变压器的 +30V电源提供，图3是选用SG3525设计 的DC— DC直流变换器原理图。性能指标是：输入电压为DC24 ～35V可调，输入额定 电压为30V ，输出为5V ／lA。本系统由SG3525产生两路反向方波来控制MOS FET的导通与关闭，MOSFET驱动采用推挽方式，本设计在变压器的中心抽头 加入30V直流电压，输出部分采用全波整流，在输出点上有分压电阻给TL431 提供参考电压，并通过光电隔离反馈到SG3525 ，以调节控制输出方波占空比 来稳定输出电压。由于本设计采用推挽式功率变换电路，在输入回路中仅有一 个开关的通态压降，而半桥和全桥电路有2个，因此在同样的条件下，产生的通 态损耗较小，这种拓扑特别适合输入电压较低的场合，这也是本设计为什么采 用推挽变换器的原因。其中的变压器可同时实现直流隔离和电压变换的功能， 磁性元件数目较少，成本较低