镨和镱掺杂Ba_2SiO_4_Eu_2_荧光材料的合成与发光性能.pdfVIP

第 27 卷 　第 1期 中　国　稀 　土 　学 　报 2009年 2 月 Vol27　No1 JOURNAL OF THE CH IN ESE RARE EARTH SOC IETY Feb2009 2 + 镨和镱掺杂 B a SiO ∶Eu 荧光材料的合成与发光性能 2 4 钟 　丹 , 胡小野 , 李振华 , 李永绣 (南昌大学稀土与微纳功能材料研究中心 , 南昌大学化学系 , 高等研究院 , 江西 南昌 33003 1) 摘要 : 采用高温固相反应法分别合成了变价稀土镨和镱离子掺杂的绿色荧光粉 [B a (2 - n - 1. 5x) R Ex ] SiO4 ∶nEu2 + ( n = 0. 03 , RE = Pr, Yb; x = 0 , 0. 02 , 0. 05 , 0. 10) 。结果表明: 所有合成荧光粉的激发峰均为 250 ～400 nm 的宽峰 , 与近紫外 L ED 的发射光波长相匹配 。发射峰位于 450 ～ 2 + 3 + 3 + 2 + 550 nm 之间 , 是 Eu 的 5d4 f跃迁的典型发射 。Pr 和 Yb 的掺入并未改变 B a2 SiO4 ∶Eu 的相组成 , 但对荧光强度的影响大 , 且与掺杂元 3 + 3 + 素 、掺杂量和煅烧温度相关 。当掺杂 Pr 和 Yb 的量为 x = 0. 02 时 , 经 1150 ℃煅烧所得荧光粉的发光强度分别是未掺杂时的 595%和 168% 。证明三价稀土离子掺杂可以导致基质中的电荷缺陷而敏化 Eu2 + 离子的发光 , 而变价稀土离子的掺杂可以大大提高电荷缺陷 , 导致荧 光强度的进一步提高 。 ( ) 关键词 : 铕掺杂硅酸钡 ; 镨 , 镱 共掺杂 ; L ED 荧光粉 ; 稀土 中图分类号 : O614. 34 1; O482. 3; TB3　　文献标识码 : A 　　文章编号 : 1000 - 4343 (2009) 0 1 - 0036 - 04 2 + 　　由于能源短缺和环境 问题的日益突出 , L ED M g Sr SiO ∶Eu 荧光粉的性能进行了研究 , 讨 0. 1 1. 9 4 白光照明技术的发展已受到全世界的高度关注 [ 1 ] 。 2 + 2 + 论了 M g 部分取代 Sr 后对荧光粉发射光谱 的 该技术是以 1993年 日本 日亚化学公司成功的使用 影响 。 ( ) 2 + 蓝光 GaN 发光二极管 L ED