(三)电阻作用.ppt

稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其V-A特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡~稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阻配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然猛增，稳压管从而反向击穿，此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压的变化却相当小，利于这一特性，稳压管就在电路到起到稳压的作用了。而且，稳压管与其它普能二极管不同之反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，二极管将会发热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。 型号 稳压范围 工作结温 1N4740A/10V/1W VZ=10±5% 200 1N4744A/15V/1W VZ=15±5% 200 1N4751A/30V/1W VZ=30±5% 200 1N4757A/51V/1W VZ=51±5% 200 1N4733A/5.1V/1W VZ=5.1±5% 200 15V/0.5W VZ=15 　 IN5378B/100V/5W VZ=100±5V -65～200 稳压二极管应用 1、浪涌保护电路:稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为限制或保护之元件来使用,因为各种电压的稳压二极管都可以得到,故对于这种应用特别适宜. 2、电视机里的过压保护电路 3、电弧抑制电路 4、串联型稳压电路 (2) 快恢复二极管 什么是快恢复二极管? 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。 快恢复、超快恢复二极管的结构特点 由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。 名称 型号 反向耐压(v) 恢复时间(ns) 工作结温℃ 快恢复二极管 FR107 1000 300 -50～150 快恢复二极管 FR307 1000 300 -50～150 快恢复二极管 MUR1620 200 35 -65～175 快恢复二极管 DSDI60-16A 1600 300 -40～150 快恢复二极管 DH60-16A 1600 150 -40～150 快恢复二极管 DH60-18A 1800 150 -40～150 快恢复二极管 DSEI2X101 1200 40～60 -40～150 超快恢复二极管 BYV27-200 200 25 -55～175 超快恢复二极管 BYV28-200 200 30 -55～175 超快恢复二极管 BYV26E 1000 75 -55～175 快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 (3)肖特基二极管 肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。 30CTQ045 VRRM=45V TRR=10ns 特点 SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 应用 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。 (4)TVS(瞬态抑制二极管） 1、概述： TVS管是瞬态电压抑制器（Transient Volt