ATLAS器件仿真系统-Silvaco.PDF

ATLAS 器件仿真系统 ATLAS 器件仿真系统使得器件技术工程师可以 模拟半导体器件的电气、光学和热力的行为。 ATLAS 提供一个基于物理，使用简便的模块化 的可扩展的平台，用以分析所有2D和3D模式下 半导体技术的直流，交流和时域响应。 •无需昂贵的分批作业试验，即可精确地特性表征基于物理的器件的电 气、光学和热力性能 •解决成品率和工艺制作过程变异的问题，使其达到速度、功率、密度、 击穿、泄漏电流、发光度和可靠性的最佳结合 •完全与ATHENA工艺仿真软件整合，具有完善的可视化软件包，大量 的实例数据库和简单的器件输入 •最多选择的硅模型，III-V、II-VI、IV-IV或聚合/有机科技，包括CMOS、 双极、高压功率器件、VCSEL 、TFT、光电子、激光、LED、CCD、 传感器、熔丝、NVM、铁电材料、SOI、Fin-FET、HEMT和HBT •分支机构遍布世界各地，有专门的物理学博士提供TCAD支持 •与专精稳定和有远见的行业领导者合作，在新技术强化上有活跃的发展 计划 •直接把ATLAS结果输入到UTMOST进行SPICE参数提取，将TCAD 技术应用到整个流片(Tapeout)过程。 S-Pisces/Device3D是一个2D/3D 的器件仿真 S-Pisces/Device3D 器，用于结合了漂流扩散和能量平衡方程的硅化 技术。其拥有广泛的物理模型库可供直流、交流 和时域仿真使用。典型的应用包括MOS,双极和 2D硅化器件仿真器 BiCMOS技术。 TFT2D/3D是一个高级的器件技术仿真器，其物 理模型和专用数字技术是模拟非晶体或包括薄膜晶 TFT2D/3D 体管在内的多晶硅器件所必需的。特殊应用包括大 面积电子显示和太阳能电池。 铁电场依赖性介电模型 FERRO经开发可结合FET的电荷层模型和描述铁 电薄膜的麦克斯韦第一方程。此模块可以精确的预 Ferro 测那些器件的静态I-V行为和瞬态与小信号模式中 铁电场依赖性电容率模型 的动态响应。 Blaze/Blaze3D可仿真运用高级材料制作的器 Blaze2D/3D 件。它有一个化合物半导体的库，包括了三元和 四元材料。Blaze/Blaze3D具有内置的模型，用 于等级和断裂的异质结，并且模拟如MESFETS、 高级材料2D3D器件仿真器 HEMT和H