IGBT金(属)氧(化物)半导体场效应晶体管基于.doc

基于无磁芯变压器IGBT/MOSFET驱动 2ED020I12-F的应用基于无磁芯变压器的驱动2ED020I12-F，并详细分析了其特点及功能，给出了其应用时应该注意的外部电路及内外部保护电路。 叙 词：无磁芯变压器2ED020I12-F；外部电路 Application of Driver 2ED020I12-F Based on Coreless Transformer for IGBT/MOSFET Yan Xiaojin Ning Wu Chen Yongzhen LiaoNing University of Technology, 121001 Abstract: 2ED020I12-F–First IGBT gate drive based on a coreless transformer is introduced in this paper, characteristic and function is also analyzed in detail, the notice of External circuitry Integrated protective External protective circuitry when applications are given. Keywords: coreless transformer; protective circuitry; 2ED020I12-F; external circuitry IGBT/MOSFET的驱动，是常用的电子器件问题是高低边驱动隔离。目前几乎所有的应用都用光电耦合器，隔离变压器或电平位移实现安全隔离。本文提出了一种新的解决方案——使用基于无磁芯变压器技术的驱动 2ED020I12-F, 及其发展前景。 无磁芯变压器技术（CLT） 现在实现中小功率装置的安全隔离功能最常用的解决方法就是使用光电耦合器，离散变压器或集成电平位移。都有它们自己的优缺点无磁芯变压器技术集中优点，同时避免那些缺点。更详细地来说就是具有更高的隔离能力，没有老化，稳定的可靠性，尺寸小，与其它逻辑功能更好的集成，以及更高的效率。CLT的基本原理就是在半导体之内植入微小变压器提供电隔离和输入输出之间的信号传输。 半桥驱动器2ED020I12-F2ED020I12-F的内部结构图 驱动 2ED020I12-F的发展得益于当今基于电平位移或多组件离驱动IC和光电耦合器或离散变压器的集成驱动解决方案的提高。2ED020I12-F包含两个驱动器，高边与低边通过无磁芯变压器实现电隔离。主要特点：全负载电压可达1200VDC驱动电压范围从V到+18V驱动电流+1A/-2A2ED020I12-F的内部结构图如图1所示。 2.1 功能描述 （1）电源 边电源VSL 和VSH由欠压锁定(UVLO)监控，当电源电压达到开启门限电压12V欠压锁定(UVLO)操作对应边之后内部电压基准和偏置电路被激活。当电源电压(VSL, VSH)下降低于关闭门限电压11V以下电路是不能被激活的。 2）逻辑输入 逻辑输入InH, InL和/SD反馈输入到施密特触发器与TTL门限3.3V和5V兼容当/SD低, 输入InH和InL不起作用。如果InH为高InL为低, OutH 起作用，反之亦然。然而，如果两个信号都为高，们为内部无效直到两个信号都降为低。 3）门极驱动 2ED020I12-F个硬开关极驱动器沟道输出可1A/2A（拉电流/灌电流）的尖峰电流。两个驱动均有有源箝位能力。4）通用放大器 通用放大器低边IGBT或MOSFET的测量。-0.1V到2V输入和±5mA 和可驱动AD转换器。稳定由外电路。 5）通用比较器 通用比较器可为低边IGBT或MOSFET。安全原因拉下拉电阻给输入。 6）CLT 用无磁芯变压器实现信号低边和高边驱动之间的隔离传输。被传送的信号，由发射机编码和由接收器。这种方法可以抑制由于GNDH(dVGNDH/dt) 或磁通密度(dH/dt)的变异产生的EMI。为补偿发射机无磁芯变压器和接收器额外的传输延迟低边驱动引进传输延迟保最大区别传播延迟10ns。除了能，在工业环境中驱动器应用更重要的一点是：dv/dt的干扰和外部磁场变化。测试证明2ED020I12-F可至少50kVdv/dt和大于dH/dt。除此之外，上述效果的获得还与小于02pF的电容内部电容减少和的磁保护。 应用2ED020I12-F不仅IGBT的驱动芯片，由于额定的最大开频率可以稳定的达到60KH，它同样适用于场效应管：中低和BLDC驱动的3相换器。直