与基极电流.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 射极输出器分析 (1)求Q点 在基极回路中，按照KVL可得 * 射极输出器分析 (2)电压增益 根据KVL，输入回路的方程为 * 射极输出器分析 (3)输入电阻 * 当 射极输出器分析 (4)输出电阻 输出电阻按定义表示为 * 共基极电路 共基极放大电路中，Rc为集电极电阻 ，Re为发射极电阻，Rbl和Rb2为基极偏置电阻，用来保证BJT有合适的Q点。 由交流通路可见，输入电压 是加在发射极和基极之间，而输出电压 从集电极和基极两端取出，故基极是输入、输出电路的共同端点。 * 例5.6.1 试分析电路的静态工作情况，并求出它的电压增益、输入电阻和输出电阻。 * 解：(1)求Q点 解答 (2)电压增益 利用小信号等效电路计算电压增益 * 解答 (3)输入电阻和输出电阻 在共基极接法时，BJT的输入电阻为 * BJT的共基极输出特性十分平坦，其斜率要比共射极接法小。因此BJT本身的输出电阻rcb比共射极接法时的rcb为大。共基极放大电路的输出电阻为 三种基本组态的比较 * 三种基本组态的比较 * §5-7放大电路的频率响应 1．RC低通电路的频率响应 在放大电路的高频区，影响频率响应的主要因素是管子的极间电容和接线电容等，它们在电路中与其他支路是并联的，因此这些电容对高频响应的影响可用RC低通电路来模拟。 * 幅频响应 高频区的电压增益的幅值AVH和相角?H分别为 * (1)当ffH时 (2)当ffH时 幅频响应 fH对应于两条直线的交点，称为转折频率。 当f=fH时，AVH=0.707，即在fH时，电压增益下降到中频值的0.707倍，所以fH又是放大电路的上限频率。 fH(?H)是AVH(s)的极点频率。 * 相频响应 相频响应，它可用三条直线来近似描述： * 在0.1 fH和10 fH之间，可用一条斜率为-45?/十倍频程的直线来表示。 频率响应 2．RC高通电路的频率响应 在放大电路的低频区内，耦合电容和射极旁路电容对低频响应的影响，可用RC高通电路来模拟。 * 转折频率，即放大电路的下限濒率 幅频响应 * 低频区的电压增益的幅值AVL和相角?L分别为： 单级放大电路的高频响应 在高频运用的情况下，其物理过程与H参数低频小信号模型不同 ，主要表现在BJT的极间电容不可忽略，BJT的高额小信号模型如下： * 元件参数说明 基区电阻rbb：表示基区体电阻，约在50-300?之间。 发射结参数rb’e和Cb’e： rb’e是发射结的小信号电阻，对于小功率管rb’e的实际数值约为几十欧。 Cb’e为发射结电容，对于小功率管，约在几十-几百pF范围。 集电结参数rb’c和Cb’c ：由于集电结工作时处于反向偏置，故rb’c的值很大，一般在100 k?—10M?之间， Cb’c在2-10pF范围内。 受控电流源 由于结电容的影响， 和 不能保持正比关系，因而用 表示受控电流源，它是受直接加于基极b’和发射极之间的电压 所控制的，gm称为互导，定义为 * 模型中参数的获得 由于高频小信号模型中的元件参数，在很宽的频率范围内与频率无关，所以模型中的电阻参数和互导gm都可以通过低频小信号模型参数得到。 * 发射结电阻 BJT的频率参数 共发射极截止频率f? ?有一个转折频率f?的频响曲线，其值主要决定于管子的结构。 * BJT的频率参数 特征频率fT 当?的频响曲线以-20dB/十倍频程的斜率下降，直至增益为0dB时的某一频率fT称为特征频率。 * 密勒电容 对于集电极节点，按照KCL得 * 忽略最后一项 密勒电容 CM称为密勒电容，由于Cb’c的存在，相当于在输入端接入一个比Cb’c大AV倍的电容。 * 高频响应与上限频率 将密勒效应图简化，令 * 增益-带宽积 低频电压增益与通频带相乘所得的乘积称为增益-带宽积。 当电路参数及BJT都选定后，增益-带宽积是个常数，因此放大电路的低频电压增益与通频带存在矛盾。 要提高低频电压增益，可增加Rc，但Rc增加后，密勒效应显著，密勒电容的作用将使 随频率增加而急剧减小，引起通频带变窄。 * 单级放大电路的低频响应 放大电路的低频响应主要取决于外接的电容器，如隔直(耦合)电容和射极旁路电容。 * 低频等