存储器新技术和硅麦克风介绍.ppt

存储器新技术及硅麦克风介绍 * fg 目录 存储器概念 存储器分类 存储器发展及必威体育精装版技术 麦克风 硅麦克风 参考文献 * 存储器概念 存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。 　　存储器是用来存储程序和数据的部件，有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据就会丢失 * 存储器分类 存储器芯片按存取方式(读写方式)可分为随机存取存储器芯片(RAM)和只读存储器芯片(ROM)。 按照不同的技术，存储器芯片又可以细分为EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、FLASH、MASK ROM和FRAM等。 * * 分类： 掩模ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 随机存储器RAM 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM 按功能 (Read- Only Memory) (Random Access Memory) (Programmable ROM) (Erasable PROM) UVEPROM EEPROM 只读存储器ROM Flash Memory (Ultra-Violet) (Electrically) 电可擦除 紫外线擦除 (Static RAM) 快闪存储器 (Dynamic RAM) 只能读出不能写入,断电不失 还可以按制造工艺分为双极型和MOS型两种。 主要指标：存储容量、存取速度。 存储容量:用字数×位数表示，也可只用位数表示。如，某动态存储器的容量为109位/片。 存储器发展及必威体育精装版技术 MRAM FRAM PRAM * MRAM 一种非挥发性的磁性随机存储器，所谓“非挥发性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与FLASH雷同；而“随机存取”是指中央处理器读取资料时，不一定要从头开始，随时可用相同的速率，从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方向为依据，存储为0或1。它存储的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响之后，才会改变这个磁性数据。它拥有静态随机存储器SRAM的高速读取写入能力以及动态随机存储器DRAM的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。 * FRAM 一种非易失性存储技术。FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。铁电晶体材料的工作原理是，当把电场加到铁电晶体材料上，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态。一个用来记忆逻辑中的0，另一个记忆1。中心原子能在常温、没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据。由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞，FRAM拥有高速读写、超低功耗和无限次写入等超级特性。 * PRAM 华中科技大学电子系教授缪向水在09年武汉IIC秋季展上说，下一代存储器技术既不是MRAM，也不是FRAM，而是相变存储器（PCM）。他预测，商业化PCM产品要到2012年前后才可能出来，目前大量应用的闪存发展到32nm节点后就到顶了，之后就将逐渐被PCM所取代。 英特尔、IBM 、意法和三星最先开发PCM，而今年三星宣布已开始量产512MbPRAM * PRAM是一种非易失性存储技术,用的材料为硫系玻璃，基于硫族材料的电致相变。其每一个存储单元在被加热时呈晶体状表示1，反之则为非晶体表示0，只要施加很小的复位电流就可以实现这两种状态的切换。相比闪存，PRAM在写入新数据前不需要执行擦除原数据的步骤，因此读写速度是普通闪存的30倍，同时其擦写寿命也是闪存的10倍 PRAM最大优点是高效能和低耗电 * 三星已开始量产的512MbPRAM大幅简化了资料存储的逻辑，它对DRAM的支持依赖程度较低，因此其用电效率极高，在使用PRAM情况下，手机电池使用时间可延迟20%以上 这种512Mb PRAM产品将单元面积削减到了0.05 μm2 。芯片面积为91mm2（10.77mm×8.5mm）。写入速度为4.65MB/秒，读取速度为266MB/秒，而