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徽电子器件与技术
Microelectronic
3D封装及其必威体育精装版研究进展
a
邓 丹 ’ 吴丰顺“6， 周龙早6，刘 辉6，安 兵“6，吴懿平“6
(华中科技大学a．武汉光电国家 实验室；b．材料成形及模具国家重点实验室，武汉430074)
摘要：介绍了3D封装的主要形式和分类。将实现3D互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅
通孔、薄膜导线等，并对它们的优缺点进行了分析。围绕凸点技术、金属化、芯片减薄及清洁、
散热及电路性能、嵌入式工艺、低温互连工艺等，重点阐述了3D互连工艺的必威体育精装版研究成果。结
合行业背景和国内外专家学者的研究，指出3D封装主要面临的是散热和工艺兼容性等问题，提
出应尽快形成统一的行业标准和系统的评价检测体系，同时指出对穿透硅通孔(TSV)互连工
艺的研究是未来研究工作的重点和热点。
关键词：3D封装；穿透硅通孔；金属化；散热；嵌入式工艺
3D andItsLatestResearch
Package
Dan8，Wu Hui6，An
Deng Fengshun8～，ZhouLongza06，LiuBin98～，WuYipin98^
National Materials
(n。Wuhan and
LaboratoryforOptoelectronics；b．StateKeyLaboratoryof Processing
DieMould Scienceand 430074，China)
Technology。HuazhongUniversityof Technology，Wuhan
mainformsandclassificationof3D areintroduced．Themethodsof3Din—
Abstract：The package
terconnectioncanbeclassifiedintothewire silicon
bonding，flipchip，throughvia(TSV)and
filmwire and are latestresearchesof
technology，whoseadvantagesdisadvantagesanalyzed．The
3Dinterconnectionare the
technologiesillustrated，includingbumps
and andcircuit and
chipthinningcleaning，heatdissipation performance，embeddedtechnology
interconnection．Heatand arethemain
low-temperature dissipationprocessingcompatibility
in3D acommon standardaswellasanevaluateshouldbe
problemspackage，and industry s
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