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电信学院电子工程专业 低频模拟电子电路 （线性、低频电子线路） 第一章 半导体器件 （3-4周） 处理与传输信息的回路－－电路。 电子线路由R.C.L及半导体器件或电子管等电子元器件组成电子线路的划分： 模拟信号：是信号随时间的连续函数。 数字信号：是信号随时间的非连续函数。 处理与传输信息的回路－－电路。 电子线路由R.C.L及半导体器件或电子管等电子元器件器件组成电子线路的划分： 按工作器件状态：线性，非线性电路。 按工作频率范围：高频与低频电路。 低频电路组成既有线性电路又有非线性电路 高频电路以非线性电路组成为主。 五. 晶体管的微变（h参数）等效电路 1）输入端等效： 本章小结 1.半导体元件中有两种载流子:电子和空穴。将P型、N型半导体接触在一起时,交界处形成一稳定的PN结。PN结加正向电压时,正向电阻很小,呈导通状态；加反向电压时,反向电阻很大,成截止状态。 2.二极管核心是一个PN结。单向导电性是二极管的基本特征。 3.半导体三极管是一种电流控制器件。发射极正偏、集电极反偏时,可通过IB控制IC。 4.场效应管是一种电压控制器件,利用改变UGS的大小来改变导电沟道的宽窄,达到控制ID的目的。 5.半导体元件的特性可使用万用表进行测量。 作业及练习 1. 什么叫本征半导体、P型半导体和N型半导体?比较它们的导电情况。 2. 使PN结正偏的方法是：将P区接（高 ）电位，N区接（ 低 ）电位。 3.温度升高二极管的导通压降将（B ），反向电流将（A）。 A.增大 B.减小 C.不变 4.某放大电路正常工作时，测得 UB =1.5V，UE =2.2V，则所用半导体三极管的类型及材料为（ C ）。 A. NPN硅 B. NPN锗 C. PNP硅 D. PNP锗 5.场效应管的输出特性曲线又称漏极特性曲线。它是指（UGS ）一定时，（ iD ）与（ uD ）之间的关系曲线，它 可划分为（可变电阻区 ）、（恒流 区 ）和（截止区 ）三个区域。 作业及练习 6. 求 UA0 =? P N N G S D UDS UGS UGS0时 感应出电子 0UGS较小UGS（th）时，电子与空穴复合，构成以负离子为主的空间电荷区而连接两个PN结。ID=0 P N N G S D UDS UGS UGS(Th)称为开启电压 ID UGS足够大（=5V）UGSUGS(th)（＝2V）,可感应出足够多电子，这里可出现以电子导电为主的N型导电沟道（反型层） 。加上UDS后会产生电流ID。 P N N G S D UDS UGS 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 当UGS增大一定值后电子积累形成导电沟道，UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。有电阻Ron. P N N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍保持不变，呈恒流特性。 ID 保持UGS =5V不变，UDS继续增加使得:UGD=UGS(th) 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 综合以上分析可画出ID-UDS图 B UGS=5V UDS ID UGS-UGS(th) 预夹断后，夹断点向源极方向移动，沟道的长度略有减小，相应的沟道电阻略有减小，结果漏极电路稍有增大。 电信学院电子工程专业 3、 N沟道增强型MOS管的特性曲线 UGS UGS(th) 输出特性曲线 非饱和区(可变电阻区） A C D E F UDS=10V UGS(th) =2V UGS=5V 饱和区，放大区 UGS=4V UGS=3V 截止区 UGS=6V UGS=7V UGS=2V 当UDS 固定，UGS大小变化时，ID大小变化，实现输入电压控制输出电流。 所以N沟EMOS管也为电压控制器件。 B O UDS ID 0 ID UGS UGS(th) 4. N沟EMOS管转移特性曲线 F A B C D E UDS=10V 同样引入跨导gm : N P P G S D G S D 5. P 沟道增强型(PEM0S) 电路符号 l W 将有空穴产生导电沟 N 沟道耗尽型 P N N G S D G S D 二、 N沟道耗尽型MOS管 1、耗尽型MOS管（NDMOS） 预埋了N导电沟道 电信学院电子工程专业 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 2、特性曲线： NDMOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 电信学院电子工程专业 2、特性曲线： NDMOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS UG