关于热阻设计参考.pdf

关于热阻 本资料，作为客户热量设计时的参考，关于本公司的热阻的各参数定义、测量方法等在此进行解说。 ■背景 通常，芯片的结温(Junction Temperature) （Tj）每上升 10℃，器件的寿命就会大约减为一半，故障率也 会大约增大２倍。Si 半导体在Tj 超过了175℃时就有可能损坏。由此，使用时就必须极力降低Tj，以容 许温度 （通常80～100℃）为目标进行热量设计。但是，对于功率器件那样的高输出元件，要把Tj 抑制在 容许温度以下其实是比较困难的，所以通常以规格书里揭载的最高容许温度的80%为基准来设计Tj。 另外、即使器件的封装相同，根据器件的芯片尺寸、引线框架的定位尺寸、实装电路板的规格等不同、热 阻值也会发生变化，需要特别注意。 ■定义 半导体封装的热阻是指器件在消耗了１[Ｗ]功率时，用芯片和封装、 周围环境之间的温度差按以下公式进行计算。 Ta Tc1 Tj θca θja Tj Ta θj a ψjt Pd Tj TC 1 θj c j t Pd θca Tc2 Tj TC 2 Ta θj c Pd 图1 封装的热阻 表1 用語说明 项目 解说 θｊａ 结温 （Ｔｊ）和周围温度 （Ｔａ）之间的热阻 ψｊｔ 结温 （Ｔｊ）和封装外壳表面温度 （Ｔｃ）之间的热阻 1 θｊｃ 结温 （Ｔｊ）和封装外壳背面温度 （Ｔｃ）之间的热阻 2 θｃａ 封装外壳温度 （Ｔｃ）和周围温度 （Ｔａ）之间的热阻 Ｔｊ 结温 Ｔａ 周围温度 Ｔｃ 封装外壳表面 （型号面）温度 1 Ｔｃ 封装外壳背面温度