【2017年整理】开关电源闭环设计.doc

6.4 开关电源闭环设计 从反馈基本概念知道：放大器在深度负反馈时，如输入不变，电路参数变化、负载变化或干扰对输出影响减小。反馈越深，干扰引起的输出误差越小。但是，深反馈时，反馈环路在某一频率附加相位移如达到180°,同时输出信号等于输入信号，就会产生自激振荡。 开关电源不同于一般放大器，放大器加负反馈是为了有足够的通频带，足够的稳定增益，减少干扰和减少线性和非线性失真。而开关电源，如果要等效为放大器的话，输入信号是基准（参考）电压Uref，一般说来，基准电压是不变的；反馈网络就是取样电路，一般是一个分压器，当输出电压和基准一定时，取样电路分压比（kv）也是固定的（Uo=kvUref）。开关电源不同于放大器，内部（开关频率）和外部干扰（输入电源和负载变化）非常严重，闭环设计目的不仅要求对以上的内部和外部干扰有很强抑制能力，保证静态精度，而且要有良好的动态响应。 对于恒压输出开关电源，就其反馈拓扑而言，输入信号（基准）相当于放大器的输入电压，分压器是反馈网络，这就是一个电压串联负反馈。如果恒流输出，就是电流串联负反馈。 如果是恒压输出，对电压取样，闭环稳定输出电压。因此，首先选择稳定的参考电压，通常为5～6V或2.5V，要求极小的动态电阻和温度漂移。其次要求开环增益高，使得反馈为深度反馈，输出电压才不受电源电压和负载（干扰）影响和对开关频率纹波抑制。一般功率电路、滤波和PWM发生电路增益低，只有采用运放（误差放大器）来获得高增益。再有，由于输出滤波器有两个极点，最大相移180°，如果直接加入运放组成反馈，很容易自激振荡，因此需要相位补偿。根据不同的电路条件，可以采用Venable三种补偿放大器。补偿结果既满足稳态要求，又要获得良好的瞬态响应，同时能够抑制低频纹波和对高频分量衰减。 6.4.1 概述 图6.31 典型的正激变换器闭环控制 图6.31为一个典型的正激变换器闭环调节的例子。可以看出是一个负反馈系统。PWM控制芯片中包含了误差放大器和PWM形成电路。控制芯片也提供许多其他的功能，但了解闭环稳定性问题，仅需考虑误差放大器和PWM。 对于输出电压Uo缓慢或直流变化,闭环当然是稳定的。例如输入电网或负载变化（干扰），引起Uo的变化，经R1和R2取样（反馈网络），送到误差放大器EA的反相输入端，再与加在EA同相输入端的参考电压(输入电压)Uref比较。将引起EA的输出直流电平Uea变化，再送入到脉冲宽度调制器PWM的输入端A。在PWM中，直流电平Uea与输入B端0～3V三角波Ut比较，产生一个矩形脉冲输出，其宽度ton等于三角波开始时间t0到PWM输入B三角波与直流电平相交时间t1。此脉冲宽度决定了芯片中输出晶体管导通时间，同时也决定了控制晶体管Q1的导通时间。Udc的增加引起Uy的增加，因Uo=Uyton/T，Uo也随之增加。Uo增加引起Us增加，并因此Uea的减少。从三角波开始到t1的ton相应减少， Uo恢复到它的初始值。当然，反之亦然。 PWM产生的信号可以从芯片的输出晶体管发射极或集电极输出，经电流放大提供Q1基极驱动。但不管从那一点－发射极还是集电极－输出，必须保证当Uo增加，要引起ton减少,即负反馈。 应当注意，大多数PWM芯片的输出晶体管导通时间是t0到t1。对于这样的芯片，Us送到EA的反相输入端，PWM信号如果驱动功率NPN晶体管基极（N沟道MOSFET的栅极），则芯片输出晶体管应由发射极输出。 然而，在某些PWM芯片（TL494）中，它们的导通时间是三角波Ut与直流电平（Uea）相交时间到三角波终止时间t2。对于这样的芯片，如果驱动NPN晶体管，输出晶体管导通（如果从芯片的输出晶体管发射极输出），这样会随晶体管导通时间增加，使得Uo增加，这是正反馈，而不是负反馈。因此，TL494一类芯片，Us送到EA的同相输入端，Uo增加使得导通时间减少，就可以采用芯片的输出晶体管的发射极驱动。 图6.31电路是负反馈且低频稳定。但在环路内，存在低电平噪音电压和含有丰富连续频谱的瞬态电压。这些分量通过输出Lo,Co滤波器、误差放大器和Uea到Uy的PWM调节器引起增益改变和相移。在谐波分量中的一个分量，增益和相移可能导致正反馈，而不再是负反馈，在6.2.7节我们已讨论过闭环振荡的机理。以下就开关电源作加体分析。 6.4.2 环路增益 还是来研究图6.31正激变换器。假定反馈环在B点－连接到误差放大器的反相输入端断开成开环。任何一次谐波分量的噪声从B经过EA放大到Uea，由Uea传递到电压Uy的平均值,和从Uy的平均值通过Lo,Co返回到Bb(正好是先前环路断开点)都有增益变化和相移。这就是6.2.7讨论的环路增益信号通路。 如果假定某个频率f1的信号在B注入到环路中，回到B的信号的幅值和相位被上面提到