【2017年整理】微电子学Chap03.ppt

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2017-06-08 发布于浙江
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【2017年整理】微电子学Chap03

北京大学;基于研究的集成电路某分类方法;3. 1半导体集成电路概述;集成电路发展的原动力：不断提高的性能/价格比;集成电路的关键技术：光刻技术(DUV深紫外波段(DUV)光刻技术 );集成电路的制造过程：设计工艺加工测试封装;集成电路产业的发展趋势：独立的设计公司（Design House）独立的制造厂家（标准的Foundary）;3.2 双极集成电路基础;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;双极数字集成电路;双极模拟集成电路;3.3 MOS集成电路基础;基本电路结构：CMOS;双极型集成电路;;数字电路指标参数;噪声容限;;;;抗饱和TTL;;ECL电路;;;I2L电路;;基本电路结构：CMOS;;;基本电路结构：CMOS;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;MOS集成电路数字集成电路、模拟集??电路;VDD;3.4 影响集成电路性能的因素和发展趋势;3.4 影响集成电路性能的因素和发展趋势;门延迟时间与沟道长度的关系;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;减小互连的途径：增加互连层数增大互连线截面 Cu互连、Low K介质多芯片模块（MCM）系统芯片（System on a chip）;集成电路芯片中金属互连线所占的面积与电路规模的关系曲线 ;互连线宽与互连线延迟的关系;互连技术与器件特征尺寸的缩小（资料来源：Solidstate Technology Oct.,1998） ;集成电路中的材料;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;小结：Bipolar：;小结：MOS;小结：器件结构;作业