飞兆半导体光耦选型手册中文版2012).pdfVIP

光耦解决方案 飞兆半导体的光耦解决方案组合实现多种输入和输入配置， 可降低电源功耗，有助于实现最佳抗扰性能的设计。 光耦 引言 飞兆半导体是光耦产品设计与生产的领导者。能够提供范围宽广的封装平台，涵盖不同的输入与输出配置组合。 可提供包括低带宽/通用开关应用的简单功能光耦、高带宽/高增益应用的高性能光耦、交流负载开关应用的高 压光耦，以及其他能够提供独特性能的特殊功能光耦。 先进的共面封装技术 （Optoplanar® ） 飞兆半导体拥有高性能光耦的产品组合，能够提供最为理想且一流的噪声抗扰度，得益于其专利共面 （coplanar）封装技术，即 Optoplanar® 。Optoplanar® 技术确保了安全绝缘厚度超过 0.4mm ，实现了可靠的高 电压隔离，已经通过UL 1577 和 DIN EN/IEC60747-5-2 标准的认证。 新型 IGBT/MOSFET 门极驱动光耦，充实了飞兆半导体领先的离散功率 IGBT/MOSFET 产品。目前，飞兆半导体 已经拥有了完整供货能力，覆盖范围涉及电路的逻辑控制部分直到功率MOSFET 的隔离门极驱动器。 2 w w w .fa i rc h i ld se m i .co m 目录 门极驱动光耦4 高速逻辑门极光耦5–7 高性能晶体管8 无需缓冲TRIAC 驱动光耦9 随机相位TRIAC 驱动光耦 10 过零TRIAC 驱动光耦 11 光电晶体管输出，DC 检测输入 12– 14 光电晶体管输出，AC 检测输入 14 光电达林顿管输出 15 封装信息 16– 19 w w w .fa i rc h i ld se m i .co m 3 门极驱动光耦 FOD3 1xx 系列 IGBT/MOSFET 门极驱动光耦系列具有高速开关性能，允许设计人员采用小型滤波器，从而降 低了整个系统功耗。这些高速器件可以应用于太阳能逆变器、电动机传动和感应加热应用。飞兆半导体的光 耦能够提供一流的共模抑制 （CM R），使得这些应用具有更强的噪声抗扰度。这些器件具有极小的脉宽失真 （65nS ）和优化的效率，并能提供 14 14V 的峰值工作电压，满足1200V IGBT 的开关需要。门极驱动器的输 出级包含一对 PMOS 和 NMOS ，有利于获得接近轨对轨的输出摆幅。该特征允许在通态和短路条件下实现对 门极电压的严格控制。 这些 IGBT/MOSFET 门极驱动光耦，进一步充实了飞兆半导体离散功率 IGBT/MOSFET 产品线完善的供货能力。 如今，飞兆半导体能够提供给用户一站式采购，覆盖电路的逻辑控制部分直到功率 IGBT/MOSFET 的隔离门极驱 动器。这种综合解决方案能够完成 mW 级至 kW 级的变换，在电路初级与次级之间提供电气隔离。 特点与优势 • 宽工作电压范围 15V-30V ，高输出电流能力高达 2.5A • 输出级采用P 沟道MOSFET ，允许输出电压摆幅接近电源轨 （轨对轨输出） • 最小值高达 35kV/µs 的高共模瞬态抗扰度 • 5kV 隔离电压等级，大于 8mm 爬电距离和电气间隙，可以获得 14 14V （峰值）工作电压 （UIORM ）