7基本放大电路.ppt

P沟道MOSFET * 场效应管的主要参数及微变等效电路 场效应管的主要参数 * 一、直流参数 1. 开启电压UT （增强型参数） 2. 夹断电压UP （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ 场效应管的主要参数及微变等效电路 交流参数 * 2. 低频跨导gm 三、极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压U（BR）DS 4. 最大栅源电压U（BR）GS 场效应管的微变等效电路 * g m u gs u gs g d s i d + - + - u ds 输入回路 栅极电流几乎为零，我们可以认为场效应管的输入回路等效成开路。 输出特性 场效应管工作在放大区时，漏极电流ID与UDS几乎无关，只由UGS决定。 共漏放大电路及其分析方法。 共源放大电路 * + u o - R L R D R G R G 2 R S R G 1 + u i - + U DD C S G D S 静态分析 共漏放大电路及其分析方法。 共源放大电路 * 交流通路及微变等效电路 + u o - R L R D R G R G 2 R G 1 + u i - G S D R G R G 1 R G 2 R D + - R L O U i U gs U gs m U g + - + - G D S d I 举例 7.8.1 * + u o - R L R D R G R G 2 R S R G 1 + u i - + UDD C S G D S 解（1） 不合题意 解得 在图示电路中，设场效应管的IDSS=4mA，UP=－4V，电路参数如下：RG1=100kΩ，RG2=20kΩ，RG=5.1MΩ，RD=RS=4kΩ，RL=4kΩ，UDD=12V，电容C1、C2、CS足够大，容抗可忽略，（1）求电路的静态工作点。(2)求电压放大倍数Au，输入输出电阻Ri、Ro。（3）若源极旁路电容CS断开，再求Au、Ri、Ro。 举例 7.8.1 * 在图示电路中，设场效应管的IDSS=4mA，UP=－4V，电路参数如下：RG1=100kΩ，RG2=20kΩ，RG=5.1MΩ，RD=RS=4kΩ，RL=4kΩ，UDD=12V，电容C1、C2、CS足够大，容抗可忽略，（1）求电路的静态工作点。(2)求电压放大倍数Au，输入输出电阻Ri、Ro。（3）若源极旁路电容CS断开，再求Au、Ri、Ro。 + u o - R L R D R G R G 2 R S R G 1 + u i - + U DD C S G D S 解（2） 举例 7.8.1 * 解（3）CS断开,静态不变 微变等效电路 R G R G 1 R G 2 R D + - R L O U i U gs m U g + - R S S G D I d 在图示电路中，设场效应管的IDSS=4mA，UP=－4V，电路参数如下：RG1=100kΩ，RG2=20kΩ，RG=5.1MΩ，RD=RS=4kΩ，RL=4kΩ，UDD=12V，电容C1、C2、CS足够大，容抗可忽略，（1）求电路的静态工作点。(2)求电压放大倍数Au，输入输出电阻Ri、Ro。（3）若源极旁路电容CS断开，再求Au、Ri、Ro。 7.9 集成运算放大电路 集成运算放大器的组成 * 输入级一般都采用差分放大电路，要求输入电阻高、零点漂移小，能抑制干扰信号，输入级是提高集成运放质量的关键部分。 电压放大级的主要作用是提高电压增益，一般由一级或多级的共射放大电路组成 。 输出级与负载相连接，要求其输出电阻低、带负载能力强，能够输出足够大的电压和电流，一般由互补对称放大电路或射极输出器组成。 偏置电路是为各级电路提供稳定和合适的偏置，决定各级的 静态工作点，一般由各种恒流源电路组成。 集成运算放大器 * T5 T6 RC3 RE2 RL RC4 RE3 T7 T9 T8 RE4 RE5 T11 T10 +UCC -UEE 第1级：差分放大器 第2级：差分放大器 第3级：单管放大器 第4级：互补对称射极跟随器 T4 R2 R1 T3 R3 RC1 T1 RC2 T2 - + 集成运放的主要参数与分类 集成运放的主要参数 * （1）最大输出电压UOPP 与输入电压保持不失真关系的最大输出电压，称为运放的最大输出电压。电源电压为±15V时，UOPP一般在±13V左右。 （2）开环差模电压放大倍数Aod 实际运放的Aod一般在100dB左右 （3）输入失调