手机存储器介绍.doc

  1. 1、本文档共3页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
手机存储器介绍

这里要专门说明一下存储器,因为很多手机毛病都和存储有关,而且很多问题都和存储相关,计算机的存储是关键,而手机更始关键,因为计算机有硬盘作为存储,而手机所有的都在存储器里 存储器分为几类,RAM 随即存储器,ROM随即只读存储器还有现在出现一些的闪存,以及电子可编程存储和非易失存储起。一个一个到来 RAM 随机存储器,其中又有SRAM(静态RAM)DRAM(动态RAM), SRAM,只要只要电源开着,就会保存,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不会立刻写入通话记录。只有正常关机,才会写入,如果取电池的话,是不会写入手机的通话记录的,如果在通话记录中出现了已经拨打电话,但是没有记录的情况,那么有可能和这个存储器有关, 可能是你的软件上错误,也可能是硬件。 DRAM在手机上用的不多,因为保留数据时间很短, 从价格上看,SRAM是非常昂贵的,而DRAM相比很便宜。 ROM也有几种,PROM可编程ROM 和EPROM可擦除可编程ROM两者区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,这个就完蛋了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而E PROM则是通用的存储器,这些存储器不符和手机软件产品,一般使用ROM少 其他FLASH 这是近来手机采用最多的存储器,这种存储起结合了ROM和RAM的长处,但是不属于RAM也不属于ROM 手机大量采用的NVRAM 非易失存储器 和SRAM属性差不多,EEPROM 电子可擦出可编程存储器 ,闪存,ROM的后代。手机软件一般放在EEPROM中,EPROM是通过紫外光的照射,擦出原先的程序,而EEPROM是通过电子擦出,当然价格也是很高的,而且写入时间很长,写入很慢,所以前面提到的电话号码,一般先放在S RAM中,不是马上写入EEPROM,因为当时有很重要工作要做——通话,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。 NVRAM 是一个很特别的存储器,它和SRAM相类似,但是价格却高很多,由于一些数据实在重要,断电后必须保持这些数据,所以只能存放在这里,一般和个人信息有关的数据会放在这里,比如和S IM卡相关数据。容量大小也只有几百字节。 闪寸存储器是所有手机的首选,综合了前面的所有优点,不会断电丢失数据(NVRAM)快速读取,电气可擦出可编程(EEPROM)所以现在手机大量采用, 说了这么多存储器,可能比较糊涂了,这么多存储器,究竟采用哪中呢,在手机发展中,各种存储器都用过,至于现在,各种手机采用的存储器是不同的,这个和成本相关,各种存储器价格不一样,本着性价比最优组合,由设计者决定,有些是可选的,有些是必须的,是手机方案决定的,我们了解只是各种存储性能,特点,在测试中判断错误原因。 (Memory) ?非易失性存储器:用于存放手机程序、校准 数据和用户数据。 ?手机上的存储器有: NOR Flash Memory芯片; NAND Flash Memory芯片; 各种存储器卡: mini-SD/T-Flash/RS-MMC等; 微硬盘; RAM: Random Access Memory,静态随机存储器。 NVRAM: Not Volatile RAM,非易失性随机存储器 NOR Flash Memory(1) ?NOR Flash 是一种非易失性闪存,一般所说的 Flash 就是指NOR Flash。 ?一般把Flash与SRAM(或者pSRAM)一起封装在 一个芯片内,MCP(Multi-Chip Package)封装。 ?手机中使用的Flash芯片: 64Mb+64Mb+32Mb (R06、P100等项目); SRAM: Static Random Access Memory,静态随机存储器; pSRAM: pseudo SRAM,外部使用SRAM接口,但内部是动态RAM技术 FLASH: 128Mbit=16MByte SRAM: 32Mbit=4MByte NOR Flash Memory(3) ?Flash的最小操作单位是Sector,一般为4Kword 和32Kword两种。 ?Flash可以分为几个BANK,一个BANK由若干 个Sector组成。 ?对Flash的写入数据之前,必须进行擦除。 ?可以一个擦除一个Sector,也可以连续擦除若 干个Sector或整个Flash。 ?为防止误操作擦写,对Flash的擦除和写入需要 有一个完整的过程。 ?各种记忆卡的对比: 相同:一般采用NAND Flash技术。 。因NOR Flash 的读速度很快,但擦写速度 很慢,这也就是我们下载程序要花很长时间的缘故。

文档评论(0)

jgx3536 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:6111134150000003

1亿VIP精品文档

相关文档