02Intel8086系统结构11.ppt

图2.20 具有等待周期的存储器读周期 图2.21 8086存储器写周期时序(最小方式) 2) 存储器写周期 2. 最大方式下的存储器读写周期 1) 最大方式存储器读周期 图2.22 8086存储器读周期时序(最大方式) (1) 在每个总线周期开始之前的一段时间， 必定被置为高电平，即 ＝111。 (2) 最小方式下由CPU直接产生的ALE， 等控制信号，在最大模式下由总线控制器8288产生。 , , , , (3) 在最大方式下，读存储器用 是像最小方式中用 信号的组合来表示。 和 / *信号，而不 最大方式下的存储器读周期时序与最小方式下的读周期时序相类似，所不同的只有以下几点： (4) 在读周期的T3状态，当CPU读取总线上的数据后， 便全部变为高电平( T4状态。一旦进入无源状态就意味着很快可以启动一个新的总线周期。 (5) 等待状态TW的插入过程与最小模式时相同。 (6) 在T4状态，数据从总线上消失，状态信号引脚S7～S3进入高 则按照下一个总线周期的操作类型产生变 ＝000～110)。 , , , , ＝111)，即进入无源状态，并一直保持到 阻抗状态，而 化(即 2) 最大方式存储器写周期 图2.23 存储器写周期时序 (最大方式) 由图可知，最大方式下的写周期时序与前述的读周期时序有很多相同之处，例如： (1) 和读周期一样，在总线写周期开始之前， 已经按照操作类型设置好相应的电平。 中的变化情况与最大方式下该周期中的变化是一样的。同样，也在T3状态全部恢复为高电平，进入无源状态，从而为启动下一个新的总线周期作准备。 (2) ALE*和DEN*的时序和作用与读周期相同；状态/地址信 在各个T状态中的变化与读周期也相同。 (3) 同样，在最大方式下的写周期中，当存储器速度较慢时，也可以用READY信号联络，当在T3开始时READY信号仍无效(即为低电平)，也可在T3和T4之间插入1个或几个等待状态TW。 , , , , 就 在各个T状态 号A19/S6～Al6/S3及 写周期时序与读周期时序所不同的是： (1) 在最大方式下的存储器写周期中，CPU通过总线控制器 号从T3状态开始有效，保持到T4状态；另一组是提前一个时钟周 *，该信号从T2状态开始有效，保持到T4状态。 可使慢速的存储器有足够的时间进行写操作。 (2) *信号为高电平，表示本总线周期是写操作，数据 8288为存储器提供两组写信号：一组是普通的写信号 *，该信 期的写信号 提前的写信号 *比普通的写信号提前一个时钟周期有效，这样 总线收发器8286/8287应处于发送状态。 2.3.3 8086的I/O读写周期 I/O读写周期的时序与存储器读/写周期的时序基本相同。不同之处在于： (1) 一般I/O端口的工作速度较慢，因而需插入等待周期Tw。 (2) T1期间只发出16位地址信号，即A15～A0，A19～A16为0。 (3) 在最小方式下，的信号由低电平取代原来的高电平，以指示CPU是对I/O端口操作。 (4) 在最大方式下，8288发出的读/写命令为 和 ，而非存储器读写时的 、 、 和 图2.24 I?/O端口读周期时序(最下方式) 图2.25 I/O端口写周期时序(最小方式) 图2.26 I/O端口读周期时序(最大方式) 图2.27 I/O端口写周期 时序(最大方式) 1) 数据寄存器 数据寄存器包括AX，BX，CX，DX这4个寄存器。 通用数据寄存器主要用来存放算术/逻辑运算操作数，中间结果和地址。 不仅为编程提供方便，更主要的是可以加快CPU的运行速度。 数据寄存器既可作为一个16位的寄存器使用，也可以分别作为两个8位寄存器使用。 2) 地址指针和变址寄存器 包括SP，BP，SI，DI 四个16位寄存器。 一般是用来存放操作数的偏移地址。 SP称为堆栈指示器 BP为基址寄存器 SI和DI称为变址寄存器 通用寄存器除具有通用特性外，还具有各自的特定用法 表2-2 通用寄存器的特定用法和隐含性质 隐含寻址 在循环指令和字符串指令中作循环次数的计数寄存器， 每做一次循环，CX的内容减1 CX 显式寻址 显式寻址 隐含寻址 ·在间接寻址中作地址寄存器 ·在间接寻址中作基址寄存器 ·在XLAT指令中作基址寄存器 BX 隐含寻址 ·在BCD码及ASCII码运算指令中作累加器 AL 隐含寻址 在LAHF中作目的寄存器 AH 隐含寻址 显式寻址 ·在乘法和除法指令中作累加器 ·在I/O指令中用作数据寄存器 AX，AL 隐含性质 特定用法 寄存器名称 隐含寻址 显式寻址 显式寻址 ·在字符串操作指令中作目