氨化Si基Ga2O3Co薄膜合成GaN纳米线及其表征.pdfVIP

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2017-06-11 发布于北京
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氨化Si基Ga2O3Co薄膜合成GaN纳米线及其表征.pdf

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第29卷第2期半导体学报 V01．29No．2 2008年2月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS Feb．，2008 andCharacterizationofGaN Nanorods Synthesis by Films on 1 Ga203／Co Si(11)Substrates’ Deposited Li QinLixia，Xue Zhaozhu，ChenJinhua，and Chengshan’，ZhuangHuizha0，Yang H0ng (Institute and Normal 250014，China) ofSemiconductors，CollegeofPhysicsElectronics，ShandongUniversity，Jinan Abstract：GaNnanorodsare onSi(1l1)substrateswith ammoniat- successfullysynthesized magnetronsputteringthrough filmsat electron transmissionelectronmi- Gas03／Co 950。C．X—ray ing diffraction，scanningmicroscopy，high—resolution Fourier-transforminfrared areusedtocharacterizethe resultsdemonstratethat eroscopy，and spectroscopy samples．The thenanorodsare GaNwitha wurtzitestructureand smoothsurfaces．The single—crystal hexagonal possessrelatively growth mechanismofGaNnanorodsisalsodiscussed． Keywords：nanorods andtransmissionelectron crystalgrowth；scanning microscopy 6116P PACC：6146；6110M； CLC Document Article nerobet：TN304 code：A ID：0253-4177(2008)02．0210．04 GaNnanorodsat scale，single—crystal rela