电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结.pdf

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 27 11 VOl.27 NO. 11 年 月 2006 11 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS NOv. 2006 电化学电容 电压法表征等离子体掺杂超浅结- ! 1 1 T 2 3 3 1 1 1 武慧珍 茹国平 张永刚 金成国 水野文二 蒋玉龙 屈新萍 李炳宗 ( 复旦大学微电子学系 上海 1 200433 ( 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 2 200050 ( 3 UltimateJunction Technolo ies Inc. 3-1-1 Ya umonakamachi Mori uchi Osaka 570-8501 Ja an g g g P 摘要!采用电化学电容 电压( 法对等离子体掺杂制备的 超浅 + 结进行了电学表征 通过对超浅 + 结 - ECV Si P n . P n + 样品 测试和二次离子质谱( 测试及比较 发现用 测试获得的 层杂质浓度分布及结深与 ECV SIMS ECV P SIMS 测试结果具有良好的一致性 但 测试下层轻掺杂 型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大 测试 ECV n .EC