纳米尺度栅线结构的线边缘粗糙度分析和表征.pdfVIP

第31卷第6期 计 量 学 报 V01．31，№6 1 ACTAMETROLOGICASINICA 2010年1月 doi：10．3969／j．issn．1000-1158．2010．06．01 纳米尺度栅线结构的线边缘粗糙度分析和表征 赵凤霞1， 蒋庄德2， 景蔚萱2 (1．郑州大学机械工程学院，河南郑州450001； 2．西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室，陕西西安710049) 摘要：为了对线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)进行分析和表征，采用电子束光刻工艺和感应耦合等 离子体刻蚀工艺制备了两种纳米尺度栅线结构，用扫描电子显微镜(SEM)对所制备结构进行了检测和定性分析。 基于离线SEM图像分析法提取了纳米栅线结构的线边缘轮廓。将所提取的线边缘轮廓视为随机信号，分别采用 均方根偏差or、偏斜度鼬、峭度肋、高高相关函数和功率谱密度函数表征了LER／LWR的幅度特征、形状特征和空 间特征，研究了LER／LWR各参数从光刻图形到刻蚀图形的变化，实现了LER／LWR的定量分析和表征。 关键词：计量学；纳米栅线结构；线边缘粗糙度；线宽粗糙度；扫描电子显微镜 中图分类号：TB921 文献标识码：A 文章编号：1000—1158(2010)06-0481-05 andCharacterizatiOnOf Analysis Line ofNanostructures EdgeRoughness ZHAO Wei—xuan2 Feng．xial，JIANGZhuang．de2，JING ofMechanical 450001，China； (1．School Engineering，ZhengzhouUniversity，Zhengzhou，Henan ZState for atXi’an 710049，China) KeyLaboratoryManufacturingSystemsEngineeringJiaotoagUniversity，Xi’an，Shaanxi line linewidth kindsof Abstract：Forcharacterizingedgeroughness(LER)androughness(LWR)，two nanostructureswerefabricatedwithelectronbeam and lithographyprocessinductivelycoupledplasmaetchingprocess．The fabricatednanostrueturesweremeasuredand with electron theirline were analyzedscanning microscopy(SEM)，andedges extractedmeanofanoff—lineSEM onrandom mean deviation image processtheory，root by analysisalgorithm．Bas