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模拟电子技术基础 一、半导体三极管的结构及特点 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 BJT是由两个PN结组成的。 1.三极管的结构 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 （2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流。大部分到达了集电区的边缘。 （3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。 电流分配关系 （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 2.输出特性曲线 iC=f (uCE)? iB=const 现以iB=60uA一条加以说明。 输出特性曲线可以分为三个区域: 四. 三极管的主要参数 1.电流放大倍数 2. 极间反向电流 3.极限参数 Ic增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 （3）反向击穿电压 三极管有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种： 半导体三极管的型号 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V， uGS=4V） ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 4. 结电容 发射结电容-----以扩散电容为主 集电结电容-----以势垒电容为主 五、温度对三极管特性的影响 1.温度对uBE的影响 温度升高时,三极管输入特性曲线将向左移，说明在相同iB的条件下, uBE将减小。温度每升高1OC, uBE将减小2-2.5mV。 2.温度对ICBO的影响 温度升高时，ICBO将增加，温度每升高10OC， ICBO约增加一倍。 3.温度对β的影响 温度升高时,β将增加，温度每升高1OC， β约增大0.5%-1%。 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 3DG110B 一、结型场效应管 二、绝缘栅型场效应管 结型场效应管结构 结型场效应管工作原理 结型场效应管特性曲线 结型场效应管主要参数 1.5 场效应管 三极管是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 一、结型场效应管 1. 结型场效应管结构 G S D P P N S D G N沟道 P N N S G D P沟道 箭头指的是栅源极间加正偏压时，栅极电流的方向 源极 漏极 栅极 漏极 源极 栅极 G S D 2.结型场效应管工作原理 以N