7半导体存储器.ppt

7.1 概 述 7. 2 只读存储器( ROM ) 7. 2 只读存储器( ROM ) 7. 2. 2 可编程只读存储器（PROM） 7.2.3 可擦除的可编程只读存储器 7. 3 随机存储器( RAM ) 7.4 存储器容量的扩展 7.5 ROM的应用举例 习 题 *7.3.2 动态随机存储器（DRAM） 为减少MOS管数目,提高集成度和降低功耗,出现了动态RAM器件。 常见的动态RAM存储单元有三管和单管动态存储电路。 见书图7.3.7、图7.3.8 动态RAM存储数据的原理是基于MOS管栅极电容的电荷存储效应。 即存放信息靠的是电容, 由于电容会逐渐放电,故需对动态RAM不断进行读出和再写入,这就是所谓刷新。 ⒈静态RAM(即SRAM),其存储电路以双稳态触发器为基础,状态稳定,只要不掉电,信息不会丢失,但集成度低。 ⒉动态RAM(即DRAM),存储单元电路以电容为基础,电路简单,集成度高,功耗低,因电容漏电,需定时刷新。 小 结 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 17 16 15 14 13 12 11 10 A2 A1 A0 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 CS GND VCC D3 D2 D1 D0 R / W RAM 2114 管脚图 2 3 4 5 6 7 8 9 10 23 22 21 20 19 18 17 16 15 A0 A1 D0 A3 A4 A5 A6 A9 A10 CS GND VCC D3 D2 D1 D4 RAM 6116 管脚图 A2 A7 1 11 12 14 13 24 A8 D5 D6 D7 RD WR (1K×4) (2K×8) 7.4.1 位扩展 方式 A9 A0 R/W CS D1 D3 D2 D0 A9 A0 R/W CS D1 D3 D2 D0 . . . . . . 2114 (2) 2114 (1) . . . A0 A9 D7 D6 D5 D4 D1 D3 D2 D0 CS R/W 用两片2114( 1024 × 4 )构成 1024 × 8 只要把各片地址线、各控制线对应并联在一起， 要达到这个目的方法很简单， 示范接线如下图： 7.4.2 字扩展 方式 思路： ( 1) 访问4096个字单元，必然有 12 根地址线； ( 2) 访问 RAM2114，只需 10 根地址线，尚余 2根地址线 ； ( 3) 设法用剩余的 2根地址线去控制4个2114的片选端 。 通过用1024×4 ( 4片2114 ) 构成4096×4为例，介绍 解决这类问题的办法。 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 2 4 译码器 A11 A10 A0 A9 D3 D2 D1 D0 2114 (1) 2114 (2) 2114 (3) 2114 (4) R/W Y0 Y3 ~ 用四片 RAM 2114 构成 4096 4 的存储容量 A11 A10 选中片序号 对应的存储单元地址 0 0 1 1 1 0 0 1 2114(1) 2114(2) 2114(3) 2114(4) 00 0000000000 ~ 00 1111111111 1024 ~ 2047 2048 ~ 3071 3072 ~ 4095 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 2114 (1) 2114 (2) 2114 (3) 2114 (4) 01 0000000000 ~ 01 1111111111 10 0000000000 ~ 10 1111111111 11 0000000000 ~ 11 1111111111 0 ~ 1023 1. 用于存储固定的专用程序 2. 利用ROM可实现查表或码制变换等功能 查表功能 — 查某个角度的三角函数 把角度值作为地址码，其对应的函数值作为存放在该地址内的数据存储在 ROM 内，这称为 “造表”