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a-Si H TFT参数 沟道宽W、沟道长L、漏端交叠长△LD、第一层和第二层绝缘层厚度T1和T2是器件的几何参数，根据设计参数得到。第一层和第二层绝缘层介电常数ε1和ε2。在I-V特性中是从资料中查得，主要提取Vth、Vto、η、μ0 、θ；电流电压的模型参数vmax、Jof、VFP、rp、Sf、ra、γ、Isub0、Xn、rn、Sr、VTR、Sr、Irsubo、VTR、g0、Deff 非晶态半导体是无序系统，电子的本征波函数.不是布洛赫函数，从而导致电子状态的局域化。当无序程度低于临界值时，每个能带中的状态将有部分是局域态，它们位于带顶和带底附近，形成所谓带尾，而位于能带中部的态是扩展态。局域态和扩展态之间的边界称迁移率边。迁移率边的位置依赖于无序程度，无序度达到某一临界值时，带顶和带底的迁移率边相连，能带中的全部状态将全部成为局域态。 a-si:H TFT的电流-电压及电容-电压特性依赖于带尾的局域态和带隙的缺陷局域态。 带隙中的局域态形成有两种可能,第一种是非晶态硅中的断健，因为实际的非晶态硅中存在一定的断键，又称悬键，第二种可能性是无序效应。 在亚阈值前区，感应出的电子大部分被局域态和绝缘层界面态所俘获，电流很小，栅极的正压增加时，电流指数增加，当高于Von时，过渡到饱和区。带尾导更接近费米能级，导带中产生被栅极电压感应的受激电子层，参与导电的电子增加，导带尾态的态密度快速的指数增加。 在亚阈值后区，负的栅压使表面积累的电子大部分耗尽，由于表面高的界面太密度，在阻挡层界面有一个弱的反电子沟道存在，栅压负方向增加，亚阈值电流减小，过渡到截止区。泄露电流随栅压往负方向成指数增加，主要是由场增强使深陷阱态中的载流子发散造成的。 a-Si:H TFT阈值电压 a-si:H TFT的电流-电压及电容-电压特性依赖于带尾的局域态和带隙的缺陷局域态。 定义a-Si:H TFT的阈值电压为TFT开启时的栅极电压，即半导体导带的起始受激电压，用Vth表示。它包括存在功函数差和各种类型电荷屏蔽的栅压Vto，和局域态屏蔽的那部分栅压。 提取Vto、η、μ0 、θ 阂值电压Vth可以直接从电流电压特性的测试曲线中提取出来，根据下式提取与局域态无关的阈值电压Vto和η 从对器件的测试发现，局域态电荷面密度Qloc的数值随Vds成比例增加，故获得经验公式:，Qloc=-Cmf·Vds•ŋ，式中ŋ是表示局域能级电荷的静态反馈系数，是拟合参数，Cmf为绝缘层电容。 定义阈值电压Vth是在Qm=0，并且的Vs=0下推导出的，则: 迁移率μ0 和θ的提取 μ0为低电场表面迁移率，ueff考虑了垂直电场调制的有效表面迁移率 载流子的最大漂移速度Vmxa的提取 a-Si:H TFT的电流-电压特性 线性区漏极电流 饱和区 亚阈值前区 γ是亚闲值前区的斜率受VDS影响的拟合参数。ra 、Sf、γ，受制作工艺影响，Sf体现了前界面的界面态密度和局域态的影响；ra体现了漏电压对电子分布的影响程度;γ体现了漏电压对前界面的界面态和局域态的分布的影响程度。 界面态密度、深局域态密度决定着TFT亚阈值前区的特性。 亚阈值后区 截止区 考虑光照机构到的漏电流因素后引入电导，Deff是TFT泄漏电流的漏极电流系数 TFT 是一种由各种薄膜组合而成的电子器件。各种薄膜的厚度、宽度、长度、薄膜的组分、致密性、薄膜之间的相对位置和界面决定了 TFT 的整体电学性能。TFT 器件除了短路、断路等机械缺陷以外，器件的各种参数偏离正常值都会导致TFT 性能的改变。沟道长宽比，载流子迁移率，源层和绝缘层的界面，欧姆接触，局域态，沟道保护、能带尾宽度等都将影响薄膜晶体管的特性。