组成原理复习.doc

组成原理考点 单选10分 填空10分 简答20分 应用题60分 页码为组成原理第五版的配套 3分 P5 CPI FLOPS MIPS CPI ：执行一条指令所需的平均时钟周期数 MIPS： 平均每秒执行多少百万条定点指令数 FLOPS ：表示每秒执行浮点操作的次数，衡量机器浮点操作的性能 P10 存储结构、哈弗结构、冯诺依曼 冯诺依曼：指令和数据放在同一个存储器 哈佛结构:指令和数据分别放在两个存储器 （3）P14 计算机层次结构（题型1问有哪几层，题型2给出特点问是哪一层结构） 第二章 应用题（1）浮点数 IE754与十进制的相互转换都要会（需要补考的浮点数加法） （2）原码不恢复余数法除法求商、余数（需要补考的原码一位乘法） 例 X = -0.1011，Y=0.1101，求[X/Y]原 解： [X]原=1.1011，[Y]原=0.1101 [Y]补=0.1101，[-Y]补=1.0011 商的符号 Qs= 1 ⊕ 0 = 1 所以 [X/Y]原 = 1.1101 余数=-0.0111×2-4 P29 什么叫溢出、检测方法（考选择） 采用双符号位法 采用单符号位法 采用“双符号位法”，也称“变形补码”或“模4补码 采用变形补码后，如果两个数相加后，其结果的符号位出现“01”或“10”两种组合时,表示发生溢出。 [例15] ｘ＝－1100, ｙ＝-1000,求ｘ＋ｙ。 [ｘ]补＝11 0100,　[ｙ]补＝11 1000 [ｘ]补　　　11 0100 ＋[ｙ]补　　　11 1000　 　　　　　 10 1100 两级先行进位的ALU 74181和74182 （考选择填空） 一个与非门或或非门的延迟为T，一个异或门的延迟为3T 第三章 应用题 缓存运用 考点主存、缓存、地址格式 主存与cache的地址映射（题型与课后作业类似作业：P125-126 11、13、14还有老师给的WORD文档的作业） （2）P66 考概念主存储器的技术指标 存储容量、存取时间、存储周期、存储器带 存储容量：在一个存储器中可以容纳的存储单元的总数 存取时间：又称存储器访问时间，是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间 存储周期：是指连续启动两次读操作所需间隔的最小时间 存储器带宽：是单位时间里存储器所存取的信息量 Cache的写操作策略 P97 写回法 全写法 写一次发 写回法：当CPU写cache命中时，只修改cache的内容，而不立即写入主存；只有当此行被换出时才写回主存。 这种方法减少了访问主存的次数，但是存在不一致性的隐患。 实现这种方法时，每个cache行必须配置一个修改位，以反映此行是否被CPU修改过。 全写法：当写cache命中时，cache与主存同时发生写修改，因而较好地维护了cache与主存的内容的一致性。 当写cache未命中时，直接向主存进行写入。cache中每行无需设置一个修改位以及相应的判断逻辑。 缺点是降低了cache的功效。 写一次法：基于写回法并结合全写法的写策略，写命中与写未命中的处理方法与写回法基本相同，只是第一次写命中时要同时写入主存。这便于维护系统全部cache的一致性。 简答题 （1）SRAM,DRAM的区别（课件第一页较完整） SRAM（静态RAM：Static RAM） 以触发器为基本存储单元 不需要额外的刷新电路 速度快，但集成度低，功耗和价格较高 DRAM（动态RAM：Dynamic RAM） 以单个MOS管和电容器为基本存储单元 要不断进行刷新(Refresh) 操作 集成度高、价格低、功耗小，但速度较SRAM慢 （2）DRAM刷新方式、特点（需要补考的存储器设计） 集中式刷新：在整个刷新间隔内，前一段时间重复进行读/写周期或维持周期，等到需要进行刷新操作时，便暂停读/写或维持周期，而逐行刷新整个存储器，它适用于高速存储器 由于刷新集中进行，会造成芯片“死时间”过长；在刷新过程中，禁止正常的读/写操作 分散式刷新方式：是前两种方式的结合，把刷新操作平均分散到整个刷新周期 例如：将2116芯片在2ms内分散地把128行刷新一遍 2000s÷128 =15.625 s ? 15.5 s 即每隔15.5 s刷新一行 （3）3.4节只读存储器的分类 主要有两类： 掩模ROM：掩模ROM实际上是一个存储内容固定的ROM，由生产厂家提供产品。 可编程ROM：用户后写入内容，有些可以多次写入。 一次性编程的PROM 多次编程的EPROM和E2PROM 第四章（考概念） （1）简答题 （1）指令系统指标（完备性、有