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2017-06-10 发布于上海
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林宏義基本電子電路電子電路 A=極體 B電晶體 + - I V 。。 ~ + - IZ VZ I V 100 80 60 40 20 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Ge Si I V VZ 200kΩ 3kΩ 5V B + 10V IB - + C Si E β=100 IC0= 20nA IC=(1+β)IC0+βIB -5 + 200IB + VBE = 0 IB= 5-0.7 200 =0.0215mA IC0IB IC=βIB=2.15mA -10 + 3IC + VCB + VBE = 0 VCB = 10 – (3) (2.15) – 0.7 = 2.85 V Ic 電子電路 B電晶體。。 + - + - RL Vcc IC IB Vi IE ? Vi t V1 V2 Vi t V1 V2 。。 + - + - RL IE IB Vi ? IE Vout VCC Vi Vout VCC Vi Vout Lo Hi Vi Vout Lo Hi 〈N 通道〉 G D S Junction FET (C) FET 場效電晶體 G S D 空乏型 MOS FET G S D G D S 增強型 MOS FET 〈P 通道〉 G D S G S D G S D G D S FET J FET MOS FET P 通道 N 通道空乏型增強型 P 通道 N 通道 P 通道 N 通道 - + P 通道空乏型 + - N 通道空乏型 - - P 通道增強型 + + N 通道增強型 MOS FET - + P 通道 + - N 通道 J FET VDS VGS 通道別類別空乏型/增強型 MOS FET Junction FET 空乏型 MOS FET 增強型 MOS FET 空乏型/增強型 MOS FET 電子電路 G S D 0.05 μF RG 10M RS 150? V0 設 ID : 6.67 mA 0.05 μF CS 50 μF RD 1.5K VDD(20v) VDS = VDD – ID(RD + RS) = 20 – 6.67mA (1.5K ? + 0.150K ?) = 9 V VDD Vout Vi Vi Vout Lo Hi VDD Vout Vi Vi Vout Lo Hi 電子電路 (D) 邏輯閘 In Out Inverter GATE Vi VDD Vo In Out Lo Hi A B OUT A B OUT 0 0 0 1 1 0 1 1 12V 12V 15K 2.2K 100K -12V V0 A B NAND GATE AB Out OR GATE A B OUT 0 0 0 1 1 0 1 1 A B OUT A B OUT 0 0 0 1 1 0 1 1 NOR GATE 電子電路 A B 0 0 0 1 1 01 1 Out A B A B OUT AND GATE Vcc OUT In Control I C OUT 0 0 0 1 1 0 1 1 A B OUT 0 0 0 1 1 0 1 1 A B OUT Exclustive Nor Gate Exclustive or Gate A B OUT A B OUT 0 0 0 1 1 0 1 1 (E) OP Amp - + 反相放大器 Ri Rf Vo Vi Avf = = - Vo Vi Rf Ri 3-State output - + 非反相放大器 Ri Vo Vi Avf = 1+ Rf Ri Vi Rf 電子電路