模块一 常用电子元器件.ppt

三、 PN结及其单向导电性 在本征半导体中掺入微量有用杂质后的半导体称为杂质半导体。 杂质半导体可分为空穴（P）型半导体和电子（N）型半导体两大类。 2. PN结的单向导电性 (2) PN 结加反向电压（反向偏置） 二、二极管的主要参数 四、稳压二极管 第三节 半导体三极管 一、结构与符号 2. 输出特性 四、三极管的主要参数及温度影响 1. 三极管的主要参数 （3）极限参数 2. 温度对三极管参数的影响 (1) 温度对β的影响 温度每升高1℃，β值增大0.5%～1%。 模块一 常用电子元器件 模块一 常用电子元器件 半导体基本知识 半导体二极管 半导体三极管 MOS场效应管 本 模 块 主 要 内 容 第一节 半导体基本知识 一、 本征半导体 锗 硅 半导体 :导电性能介于导体与绝缘体之间的物质，如硅和锗。它们的原子最外层都有四个价电子。 1. 本征半导体：纯净的半导体晶体。 2. 本征半导体的特点：有两种载流子参与导电 　3. 本征半导体中电流由两部分组成：电子电流和空穴电流。 二、杂质本征半导体 1. P型半导体：在本征半导体内掺入微量的三价元素，成为P型半导体。 P型半导体中空穴是多子(由掺杂形成)，电子是少子(由热激发形成)。 2. N型半导体：在本征半导体内掺入微量的五价元素，成为N型半导体。 N型半导体中电子是多子(由掺杂形成)，空穴是少子(由热激发形成)。 1.PN结: 在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 (1) PN 结加正向电压（正向偏置） 外电场 IF PN 结加正向电压(P接正、N接负 )时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – 外电场 IR 少子的数目随温度升高而增多，故反向电流将随温度增加。 – + PN结加反向电压(P接负、N接正 )时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － 结论:PN结具有单向导电性 一、二极管的伏安特性 二极管两端的电压与通过电流的关系曲线，称为二极管的伏安特性。 1 . 正向特性 2. 反向特性 U I 死区电压 :硅管0.5V,锗管0.1V 导通压降: 硅管0.6~0.7V 锗管0.2~0.3V 反向击穿电压UBR 1.最大整流电流 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 最高反向工作电压 手册上给出的最高反向工作电压一般是反向击穿电压的一半。 IF URM 第二节 半导体二极管 二极管的伏安特性。 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 使用时要加限流电阻 U I O _ + 三、二极管的应用 1．整流应用 2．限幅应用 3．检波应用 4．保护应用 工作在反向击穿状态，稳压二极管简称稳压管，其在电路中的接法如图所示。 曲线越陡，动态电阻越小，稳压管的稳压性能越好。 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 三极管制造工艺特点是：发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低且很薄，集电区面积大。 二、三极管的电流分配与电流放大作用 1.三极管电流放大作用的外部条件: 发射结正向偏置，集电结反向偏置 （1） 发射极电流等于基极电流与集电极电流之和，即IE=IC+IB （2）IC比IB大得多。 （3）IB的小变化引起IC的大变化。 三、三极管的特性曲线 1. 输入特性 2.三极管的电流分配与放大作用: 发射结正向偏置，集电结反向偏置 一.输入特性 UCE ?1V 工作压降： 硅管UBE?0.6-0.7V,锗管UBE?0.2-0.3V。 UCE=0V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 共射极接法硅NPN型三极管的输入特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A