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第 卷 第 期 无 机 材 料 学 报 , 年 月 一 一 文章编号 一 基 气敏 陶瓷的 晶界化 学研 究 周 志 刚, 唐 子 龙 , 张 中太 清 华大 学材 料 科 学与 工 程 系新型 陶 瓷 与精 细 工 艺 国 家重 点 实验 室 , 北 京 摘 要 陶瓷化学传感器 的敏感机 制与 晶界 的化学 缺 陷结构在周 围微环境 下 的变 异 密切 相 关 晶粒表面和 晶界是空位源 , 研 究陶瓷材料在环境气氛 中晶界化学缺 陷的变化 , 对于探 索陶 瓷材料 的敏感机制和 开拓新应 用具有重要 意义 本文就 基 陶瓷 中本征缺 陷的 生成和 分布 , 缺 陷在高温冻结 、 吸 附和脱 附过程 中的变化 , 缺 陷的重分布及其对 晶界 势垒 的贡 献进 行深入 的讨论 关 键 词 陶瓷 晶界 缺 陷 气敏 中图分类号 文献标识码 引言 研 究 陶 瓷材料 晶界 的结构和 性 能具有重 要 理 论 意 义和 工 程 价值 , 在 国际上 深 受重视 迄 今 为止 , 对 陶瓷 的缺 陷结构及 其分布 虽 已有 所 报道 , 但对 缺 陷结构在 敏 感 响应 过 · 程 中的 习性还 知之 不 多 最 早认 为 效 应 起 因于 晶界 上 受主 表 面 态 引起 的两 , 维 势垒模 型 , 就 晶界 的铁 电补 偿对 模 型进 行修正 的 同时 认 为 晶界 电阻 的跃 迁 与试样 重 氧化 处理 后 富氧缺 位 有关 , 等人 却 认 为 晶界 的高 电阻 与冷 却过 程 中形 成 的钡 缺 位 嗽 密切 相关 , 从而 把 二维表 面 电荷模型 扩 展 到 三 维 空 间 ,’

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