电子元件重要参数整理.doc

元件重要參數整理 Name parameter MOSTEF ID VDSS VGSS Tj RθJC RDS(ON) Ciss Trr Vth DIODE VRRM IF Tj RTH(J-C) VF1 Trr CAPACITOR Vo DI CA Lc Rc TC ESR To Bridge VRRM IF Tj I2T RθJC Transformer core bobbin LP Ipk P/E NP/SP/N Winding technology HI-POT J PWM CONTROLLER Vcc OUT Tj COMP VFB ISENSE RT/CT Ist Dead time Vref MAX DUTY UVL Voltage Regulator VKA IKA IFET VREF Photo coupler VF IF IC Vceo CTR Varistor VImA VP IP MAX Allowable Voltage MAX Peak Current TC Thermistor R25 R50 B TC MAX Permissible Current MAX Operating Current Fuse IR VR OT I2T Resistor Type PR RN RT 一、MOSFET：以SSW2N60B舉例說明 序號 項目 介紹 特性 備注 1 ID Drain 到source的電流 電路中的MAX CURRENT 應小於ID，否則mosfet fail，隨TC上升，ID下降，額定直越大越好，但是ID越大，RDS(ON)越小， 見圖示2 2 VDSS Drain與source逆向電壓 電路中的MAX voltage 應小於VDSS voltage，否則mosfet fail，越大越好，但是VDSS越大，RDS(ON)越大 見圖示1 3 VGSS 驅動電壓 不能超過規定直，否則fail，同時注意Vth 見圖示3 4 Tj 節點溫度 工作溫度不能超過Tj，否則影響 其它參數，燒毀MOSFET 見圖示4 5 RθJC 電阻溫度系數 MOSFET表面溫度 +損耗功率＊電阻溫度系數 +最大工作環境溫度–測試的環境溫度＜Tj90％ 電阻溫度系數：指每消耗1W功率（元件自耗），JUNCTION溫度上升2.32℃，也就是ID＊ID＊RDS(ON)＊2.32℃，這裡僅計算conduction loss 所帶來的溫升，沒考慮switch loss 見圖示5 6 RDS(ON) MOSFET導通時的阻抗 影響元件的自耗功率，越小越好，但是應考慮到VDSS 和ID ，與之成反比，RDS(ON)跟測試條件有關系 見圖示6 7 Ciss 輸入電容 對GATE上升的時間delay，而增加switch loss，此值越小越好 見圖示7 8 Trr 內置DIODE反向恢復時間 越小越好 見圖示8 9 Vth MOSFET開啟電壓 驅動電壓達到Vth時，因存在Ciss 所以上升時間會delay，而產生switch loss 二、DIODE：已STPS40L15CW舉例說明 序號 項目 介紹 特性 備注 1 VRRM DIODE耐壓值 電路中最大逆向電壓不能超過額定直，否則fail，但是VRRM越大，VF越大，所以SCHOTTKY的VRRM值比較小，而FAST的值比較大 見圖示1 2 IF 正向導通電流 IF越大，VF越小 見圖示2 3 Tj 節點溫度 工作溫度不能超過Tj，否則影響 其它參數，燒毀DIODE 見圖示3 4 RTH(J-C) 電阻溫度系數 DIODE表面溫度 + 損耗功率＊電阻溫度系數 +最大工作環境溫度–測試的環境溫度＜Tj90％ 電阻溫度系數：指每消耗1W功率（元件自耗） JUNCTION溫度上升1.6℃，計算方法：VF＊IF（實測的數值）＊1.6℃ 見圖示4 5 VF 正向導通壓降 VF越大，VRRM越大，但是在IF恆量時損耗越大， 見圖示5 6 Trr 反向恢復時間 越小越好，SCHOTTKY比FAST的時間短 Question：在初級Snubber電路裡，用Trr越大的FAST，次級逆向電壓相對越小。 三、Capacitor 序號 項目 介紹 特性 備注 1 Vo 電容的耐壓值 耐壓值越大，ESR越小，RIPPLE CURRENT越大 見圖示1 2 DI 電容的尺寸大小 尺寸越小，性能比越差 見圖示2 3 CA 容量大小 容量越大，ESR越小 ripple