EMI对策元件.pdf

维普资讯 EMI对策元件和电路保护元件 的发展与应用 0 北京七星华电科技集团飞行电子有限公一J 工彦伶 随 罢 孝 高的 率范围．EM[元件也随着向高频发展，例如．叠层型 片式磁珠的抑制频#已提高到GHz范同。国内南虹、顺络、 品的电磁兼容性与可靠性、安全性提出了更高的要求。这就 麦捷以及Murata、TDK、Taiyoyuden．AEM Vism[y等 极大地促进TEMI对策电子元件与电路保护电子兀什的飞速 公司都 推出rH·靖＆优良的GHz片式磁琳．其抑制噪声频率 发展，成为电_『兀件领域中的一个热点．BI起了人们的极大 在600MIk至3G[Iz，满足了高速数字电路的要求 村罔的 关注。这类电子元件品种繁多，随着型号规格的增多、参数 三端片式穿心陶瓷I容器的抑制频率范同 3～2000MIIz； 范罔的扩大，以及抑制电磁十扰能力币u保护电路能力的提升 TDK开发的l005(0402)片电感器的使刷频率达到12GHz 郝是非常罹著的。特 J是应用范罔的迅速扩张与需求量的急 剧上升，都是十分惊人的。本文着重介绍其应用情况厦市场 向复合化多功能化发展 前景。出于简洁，本文将简称之为EMI元件与电路保护兀件。 在电子产品r 常有排线部位，如I／O排线。为了使用 方便．节省PCB向积．加快表面贴装速度，一些”式EMI元 EMI元件的新进餍 牛『均已阵列化。住 ·个封装内通常含有 、l1u 、、八个EM[ 元件。此外，将不 助能的EMI元件组合在一个封装内．达 向微小型化发展 到多功能的目的。 将噪声抑制功能与静电放电呆『护功能组 迫于电子产品向更小 更轻 更灵巧的发展趋势，EMI 合在 一起，将电容 ‘电感或电l5且纽台在一起等。鄱体现 向 元件继续向微小型化发展，如片式磁珠和片式电容嚣的牛流 多功能化的发展趋}冉。 封装尺 j已经逐步从 16()8(0603)过度到 1005((J402)；义 如日本村团新发布的二绕组共模扼流圈的尺寸仪为15×2．0 新材料新元件层出不穷 ×1．2nlln；在3．2x16×1．15mII】的尺寸内封装丁两个共 众所周知，尖品 型软磁铁氧体和BaTiO 基陶瓷材料 在EMI对策中占仃十分熏要的化置。近年来．殳开发出一蟪 模扼流吲阵列 新型材料．司用 抗电磁_T扰技术．如：六角晶系铁氧体材 向高频化发展 料、金属磁粉材料 非晶及超细晶金属磁性材料、高分J磁 目前电子产品向高频发展的趋势 l分州显，如计算机 1 ·H：材料、高分子介顷材料、复合介磺材料、纳米材料等。这 钟频已提高到几百兆赫乃 千兆赫；数字无线传输的频率 些新型材料将任I磁兼容领域崭露头角，值得人们密切关 达到2GHz以 ；无绳电话的频率将从45M ¨z提高到 注。在EMI元件 面也有很多进展，如：Murata公司，在 2400MHz等等．因而由高次I皆渡引起的噪声也相 }¨现在更 端片式电容器 (，蔑层型片式穿心电容器)的基础上，又开 34 EC ，20035 维普资讯