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diff的专有名词汇集 DIFF 何谓RTA? 答：快速热退火(rapid thermal annealing) 退火(anneal)的目的? 答：修补晶格的偒害 目前RTA分为那二种加热系统? 答：(1) LAMP(灯泡)加热. (2) Furnace (炉)加热 在快速升温设备中,常用何种气体作制程洁净? 答：N2 (氮气) 何谓Pyrometer?有何作用? 答：(1) 红外光高温温度计.(2) 用于测量晶圆温度. RTP主要分为那些部份? 答：(1) 制程室 (2) 加热器 (3) 晶圆温度测量及控制. 何谓O2 sensor? 答：用于测量制程室中O2含量的感应器 何谓Quartz blade?有何作用? 答：(1) 用石英材质做的托板 (2) 用于传送wafer时的托板 何谓Cooldown stations? 答：(1) 冷却位置(2) 用于wafer 制程结束后的冷却功能 在Appiled的RTP机台中,制程室中rotation(旋转)的作用为何? 答：使wafer在制程室(Chamber)中可均匀加热 何谓SMIF?用处为何? 答：(1) standard mechanical interface.标准机械接口. (2) 用于载具的传送,以确保制程品质的稳定 炉管的功能? 答：热处理制程主要功能在于 (1) 前段制程的oxidation 生成与高温回火力(anneal)(2) LPCVD(Low pressure chemical vapor deposition)(化学气相沉积)(3) 后段制程的热回火功能 Wafer Thickness? 答：200mm: 725um 300mm: 775um Why to use Si as semiconductor source 答：(1) Plenty of Source (2) Easy to purify (3) SiO2 is Good Dielectric with Stable Quality and Good Interface 何谓LOCOS? 答：LOCal Oxidaion of Silicon: typicallly use Silicon nitride as oxidation mask. Oxidation Principle 答：Dry Oxidation: Si + O2 -- SiO2 Wet Oxidation: Si + 2H2O -- SiO2 + 2H2 Process Temperature of Poly Si deposition? 答：=530C – amorphous530~580 - partial poly570~600 - rugged/HSG ~620 - Poly Si Polysilicon deposition principle? 答：SiH4 -- Si + 2H2 Silicon Nitride deposition principle? 答：SiH2Cl2 + NH3 -- Si3N4 + NH4Cl 何为扩散?扩散机台的作用? 答：扩散是半导体制程常用的步骤，是在高温气氛下，物质（气，固，液）中之原子或分子由高浓度区域移至低浓度区域，扩散机台提高这种制程的条件。 何为氧化?氧化机台的作用? 答：氧化是半导体制程常用的步骤，是SI原子在特定条件下与氧反应生成SIO2层的过程，根据制程分干式氧化和湿式氧化，扩散机台提高这两种制程的条件。 何为CVD?CVD机台的作用?DIFF的CVD属于哪一种? 答：CVD是半导体制程常用的步骤，是将反应气体导入高温Chember，和Wafer发生某种化学作用，在表面沉积一层薄膜的过程，根据制程分APCVD,PECVD,LPCVD等，DIFF的机台属于LPCVD. 氧化扩散机台通常由哪几部分构成？ 答：通常由电气控制系统,装载净化系统,加热炉体,制程炉管及制程气体,液源输送,排出系统组成,垂直式机台增加了Wafer自动装载及传送机构. LPCVD机台通常由哪几部分构成？ 答：除了与上述氧化扩散机台结构相同的部分外,增加了能密封的制程Chember,压力控制系统,真空Pump及Tubing等. DIFF的Furnace按功能制程可分为哪几种？ 答：氧化(Oxidation)炉管，扩散(Diffusion)炉管，化学气相沉积(LPCVD)炉管. DIFF的Furnace按制程压力分哪几种？ 答：常压AP Furnace，低压LP Furnace. DIFF的Furnace按结构形式分哪两种？ 答：水平式(Horizontal Furnace)及垂直式(Ver