FLASH模.doc

FLASH模块 TMS320F28335片上有256K16位的FLASH存储器，FLASH存储器由8个32K16位扇区组成，用户可以对其中任何一个扇区进行擦除，编程和校验，而其他扇区不变。不能在其中一个扇区上执行程序来擦除和编写其他的扇区。 F28335的FLASH选择寄存器FOPT 位 名称 功能描述 15-1 Reserved 保留 0 ENPIPE 使能FLASH流水线模式 当该位被置1时，流水线模式被激活，该模式下通过预处理指令提高了取指令的效率，在该模式下，FLASH的访问周期（页访问或随机访问）必须大于0，默认状态为0； F28335的FLASH功耗模式寄存器FPWR 位 名称 功能描述 15-2 Reserved 保留 1-0 PWR FLASH功耗模式位，向这些位写操作会改变FLASH的BANK和PUMP当前功耗模式。 00：睡眠模式 01：等待状态 10：保留 11：激活状态，使能FLASH(高功耗) Flash控制寄存器FOPT、FPWR、FSTDBY-WAIT、FACTIVEWAIT、FBANKWAIT、FOTPWAIT的初始化代码不能从Flash存储器当中运行．否则就会有不可预料的结果出现。所以，Flash控制寄存器的初始化函数在运行时必须从Flash(它的装载地址)拷贝到RAM(它的运行地址)。?Flash控制寄存器由Code?SecurityModule(CSM)保护。如果CSM被保护起来了，那么必须从被保护的RAM(例如：L0或者L1SARAM)运行Flash控制寄存器的初始化代码，否则Flash控制寄存器的初始化代码无法访问Flash控制寄存器 外扩FLASH: FLASH初始化函数如下： void InitFlash(void) { EALLOW; FlashRegs.FOPT.bit.ENPIPE = 1; // 使能流水线模式FlashRegs.FBANKWAIT.bit.PAGEWAIT = 5; //页模式FLASH读取 指令周期 FlashRegs.FBANKWAIT.bit.RANDWAIT = 5;//随机模式FLASH读取指令周期 FlashRegs.FOTPWAIT.bit.OTPWAIT = 8; FlashRegs.FSTDBYWAIT.bit.STDBYWAIT=0x01FF; //设置从睡眠到等待的转换时间 FlashRegs.FACTIVEWAIT.bit.ACTIVEWAIT = 0x01FF; //设置从等待到激活的转换时间 FlashRegs.FPWR.bit.PWR = 3; //设置Flash为正常工作状态 FlashRegs.FSTATUS.bit.V3STAT = 1; //Clear the 3VSTAT bit EDIS; asm( RPT #7 || NOP); ////等待流水线操作完成，保证最后一个设置操作完成后才从该函数返回 } FLASH的流水线模式：FLASH存储器数据掉电不丢失，所以通常用来保存应用代码。在代码执行期间，除非有中断产生，指令可以从存储器地址中连续获取，连续地址中的代码组成了主要的代码，又称为线性代码。FLASH的流水线模式默认状态下无效。