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CdZnTe晶体缺陷及热处理对Zn组分影响的研究 CdZnTe晶体的认识：定义，结构，用途 CdZnTe晶体的生长：生长方法，生长炉，生长流程 CdZnTe晶体的缺陷: 微缺陷，体缺陷 CdZnTe晶体在热处理中对Zn组分的影响 碲锌镉是宽禁带II-VI族化合物半导体，可以看成CdTe和ZnTe 固溶而成。 碲锌镉晶体是一种极具工程意义和战略意义的功能材料，比如用碲锌镉制造的医学成像仪为病人检查身体是可拍摄出更加清晰的照片，同时又可以减少辐射。碲锌镉晶体还是制造性能优良的仪器、仪表的重要材料，在准备X 和 γ射线探测器、红外探测器，太阳能电池等方面有着广阔的应用前景。 CdZnTe单晶 Cd 和 Te 原子荷电特性有差异，所以碲锌镉晶片两面的性质不一样。II族的Cd 原子层在应用中被定义为（111）A面，VI族的Te原子在应用中被定义为（111）B面。 碲锌镉中，Te 有较强的电负性，成键的电子更集中分布在Te 原子的附近，Te 原子平均来说带负电，电负性弱的Cd、Zn 原子平均带正电，所以碲锌镉晶体是一种极性半导体材料。 碲化镉的AB晶面定义 碲锌镉单晶的生长总体分为熔体法和气相法两大类。 气相法: 有籽晶生长、无籽晶生长、升华移动热区方法。 熔体法： 移动加热区法、热交换法、垂直布里奇曼法、垂直梯度凝固法等。 CdZnTe晶体的缺陷 A类体缺陷 C类体缺陷 D类体缺陷 不同热处理对Zn的影响 采用对比的实验方法研究不同的热处理对Zn的影响： 1.在真空的条件下直接退火处理 2.室温下，在氯化镉饱和甲醇溶液中浸泡后用氩气干燥，然后在真空的条件下退火处理 3.室温下，在氯化锌饱和甲醇溶液中浸泡后用氩气干燥，然后在真空的条件下退火处理 CdZnTe 薄膜XRD衍射图 晶体(111)峰衍射角、面间距及晶格参数 晶体表面及横截面的SEM XRD,EDS和PL分析下的Zn含量 Thank you