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X 波段单级氮化镓固态放大器 - 西安电子科技大学
( )
2009 年 12 月 西安电子科技大学学报 自然科学版 Dec . 2009
第 36 卷 第 6 期 J OU R N AL O F X I D I A N U N IV E R S I T Y Vol . 36 No . 6
X 波段单级氮化镓固态放大器
陈 炽 , 郝 跃 , 冯 辉 , 马 晓华 , 张进 城 , 胡仕 刚
(西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 ,陕西 西安 7 1007 1)
摘要 : 利用自主研制的 SiC 衬底的栅宽为 25 mm 的 Al GaN/ GaN H EM T 器件 ,设计完成了单级 X 波
段氮化镓固态放大器模块. 模块由Al GaN/ GaN H EM T 器件 、偏置电路和微带匹配电路构成. 采用金属
腔体和测试夹具 ,保证在连续波下具有 良好的接地和散热性能. 利用双偏置电路馈电,并且采用独特的
电容电阻网络和栅极串联电阻消除了低频和射频振荡. 利用微带短截线完成了器件的输入输出匹配. 在
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8 GHz频率及连续波情况下 直流偏置电压为V ds = 27 V , V gs = - 40 V ,放大器线性增益为56 dB ,最大
效率为 305 % ,输出功率最大可达4025 dBm ( 105 W) ,此时增益压缩为2 dB . 在带宽为500 M Hz 内,输
出功率变化为1 dB .
关键词 : Al GaN/ GaN H EM T ; 固态放大器模块 ;饱和输出功率 ;增益压缩 ;功率附加效率
中图分类号 : TN 325 + . 3 文献标识码 :A 文章编号 :100 12400 (2009)
Xband single stage Ga N sol idstate power a mpl if ier
C H E N Chi , H A O Yue , F E N G H ui , M A X i aoh ua , Z H A N G J i ncheng , H U S h ig ang
(Mini st ry of Education Key L ab . of Wide BandGap Semiconductor Mat erial s
and Devices , Xidian U niv . , Xi’an 7 1007 1 , China)
Abstract : Ba sed on t he selfdevelop ed Al GaN/ GaN H EM T wit h 25mm gat e widt h t echnology on t he
SiC sub st rat e , t he Xband GaN solidst at e power amplifier module i s fabricat ed . The module con si st s of
t he
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