flash做EEPROM用 (2).docxVIP

STM32?本身没有自带?EEPROM，但是?STM32?具有?IAP（在应用编程）功能，所以我们可以把它的?FLASH?当成?EEPROM?来使用STM32?FLASH?简介不同型号的?STM32，其?FLASH?容量也有所不同，最小的只有?16K?字节，最大的则达到了1024K?字节。战舰?STM32?开发板选择的?STM32F103ZET6?的?FLASH?容量为?512K?字节，属于大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），STM32?的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等?3?部分组成。主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如?const?类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为?256?页，每页?2K?字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有?1K?字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是?0??B0、B1?都接?GND?的时候，就是从?0始运行代码的。信息块，该部分分为?2?个小部分，其中启动程序代码，是用来存储?ST?自带的启动程序，用于串口下载代码，当?B0?接?V3.3，B1?接?GND?的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。闪存的读取内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何?32?位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个?AHB?接口与?CPU?衔接。这个接口的主要工作是产生读闪存的控制信号并预取?CPU?要求的指令块，预取指令块仅用于在?I-Code?总线上的取指操作，数据常量是通过?D-Code?总线访问的。这两条总线的访问目标是相同的闪存模块，访问?D-Code?将比预取指令优先级高这里要特别留意一个闪存等待时间，因为?CPU?运行速度比?FLASH?快得多，STM32F103的?FLASH?最快访问速度≤24Mhz，如果?CPU?频率超过这个速度，那么必须加入等待时间，比如我们一般使用?72Mhz?的主频，那么?FLASH?等待周期就必须设置为?2，该设置通过?FLASH_ACR寄存器设置。使用?STM32?的官方固件库操作?FLASH?的几个常用函数。这些函数和定义分布在文件?stm32f10x_flash.c?以及?stm32f10x_flash.h?文件中。1.??锁定解锁函数在对?FLASH?进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在?FLASH_KEYR?寄存器写入特定的序列（KEY1?和?KEY2）,固件库函数实现很简单：void?FLASH_Unlock(void)；同样的道理，在对?FLASH?写操作完成之后，我们要锁定?FLASH，使用的库函数是：void?FLASH_Lock(void)；2.??写操作函数固件库提供了三个?FLASH?写函数：FLASH_Status?FLASH_ProgramWord(uint32_t?Address,?uint32_t?Data);FLASH_Status?FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t?Address,?uint16_t?Data);FLASH_Status?FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t?Address,?uint8_t?Data);顾名思义分别为：FLASH_ProgramWord?为??32?位字写入函数，其他分别为?16?位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明，32?位字节写入实际上是写入的两次?16?位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的?STM32?闪存的编程每次必须写入?16?位并不矛盾。写入?8位实际也是占用的两个地址了，跟写入?16?位基本上没啥区别。3.??擦除函数固件库提供三个?FLASH?擦除函数：FLASH_Status?FLASH_ErasePage(uint32_t?Page_Address);FLASH_Status?FLASH_EraseAllPages(void);FLASH_Status?FLASH_EraseOptionBytes(void);这三个函数可以顾名思义了，非常简单。4.??获取?FLASH?状态主要是用的函数是：FLASH_Status?FLASH_GetStatus(void)；返回值是通过枚举类型定义的：typedef?enum{?　　FLASH_BUSY?=?1,//忙　　FLASH_ERROR_PG,//编程错误　　FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误　　FLASH_COMPLETE,//操作完成　　FLASH_TIMEOUT//操作超时}FLA