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CdZnTe高能射线探测材料与器件研究
CdZnTe高能射线探测材料与器件研究
查钢强、王涛、徐亚东、王宁、介万奇*
西北工业大学材料学院
zha_gq@nwpu.edu.cn; jwq@nwpu.edu.cn
第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会
2012年8月16日 四川·绵阳
汇报提纲
研究背景与意义
国内外研究现状
发展趋势与展望
X射线及 γ射线探测技术的发展
最典型代表：
CZT探测器
优点：能量分辨
优点：晶体尺寸 率高；空间分辨
大，灵敏度高 率高；器件尺寸
优点：简单 缺点：需结合光 小，便携。
缺点：能量分辨率 电倍增管，器件 缺点：晶体制备
及探测效率低 庞大；能量分辨 工艺尚不成熟
率差；易潮解 价格昂贵、部分
限制进口
各种半导体探测器材料比较
Z Eg (eV) W (eV/ehp) ρ at RT (Ωcm)
Si 14 1.12 3.6
Ge 32 0.66 2.9
7
InP 49/15 1.4 4.2 10
GaAs 31/33 1.4 4.3 108
9
CdTe 48/52 1.4 4.4 10
CdZnTe(CZT) 48/52 1.6 4.7 1011
HgI2 80/53 2.1 4.2 1013
TlBr 81/35 2.7 5.9 1011
Diamond 6 5 13 1013
Also: SiC, P
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