HM%;;-深圳市华之美半导体有限公司.PDF

HM 高电源抑制比、低噪声 300mA LDO 概述 HM 系列芯片，具有很高的电源抑制比，静态工作电流40uA 左右，适合射频方面的应用。该系 列采用先进的CMOS 工艺，实现快速启动、低噪声、极好的瞬时反应特性和很高电源抑制比功能。HM1134BXX 系列芯片稳定于1.0μF 陶瓷输出电容，并且使用精确的参考电压和反馈环路，能够在所有负载，线路，流 程和温度变化情况下最多产生2 ％的精度误差。该系列芯片的工作结温规定在-40℃～+125 ℃，它采用小型 SOT23-5/SC70-5/SOT24/ DFN4 封装和带有散热垫的超小型2mm×2mmDFN 封装，其中采用DFN 封装的产 品很适用于小型便携式设备，如无线手机和PDA 。 HM 系列提供标准的固定输出电压1.2V （HM1134B12），1.5V （HM1134B15），1.8V （HM1134 B182），2.5V （HM1134B25），2.8V （HM1134B28），3.0V （HM1134B30），3.3V （HM1134B33）和自定义 电压选择（0.8V和5.0V之间50mV 的步幅电压选择应要求提供）。 功能特点 宽输入电压范围：2.5V 至6.5V 高达300mA 的负载电流 标准的固定输出电压选项：1.2V、1.5V、1.8V、2.5V 、2.8V 、3.0V 和3.3V 其他输出电压应要求可提供 很低的静态工作电流IQ : 40µA 超低的电压压降：在300mA 的负载时压降为300mV 很高的电源抑制比PSRR ：工作在100Hz 时为65dB 超低噪声：在输出电压为1.2V 时噪声电压为45uVrms 超快速启动时间：25μs 极好的负载/线路暂态响应 线路调整率：典型值为0.03 ％ 封装： ；SC70-5(HM1134BXXSC) ； DFN6(HM1134BXXY) ； SOT24(HM1134BXXS4). DFN4(HM1134BXXYD ） 应用 智能手机和便携式电话 掌上电脑 MP3/MP4播放器 数码照相机 便携式仪器 Shenzhen HM Semiconductor Co.Ltd http：// 1/8 HM1134BXX2 管脚排列图 SOT23-5/ SC70-5 DFN6 EN 1 4 IN OUT 1 4 IN GND 2 3 OUT GND 2 3 EN SOT24 DFN4 管脚说明 引脚编号 引脚名称 引脚功能 SOT23-5 DFN2x2-6 SOT24 DFN4 电源输入引脚。必须使用1μF或更大的陶瓷电容 1 3 4 4 IN 器接到GND上，作为去耦电容。 2 2 2 2 GND 接地引脚