碳化矽薄膜對鋁基金錫共晶接合面之影響.PDF

Nanometer-Scale Technology and Materials Symposium 2013 Changhua, Taiwan, 13, December 2013 碳化矽薄膜對鋁基金錫共晶接合面之影響 楊詠鈞1 陳文瑞2 1 國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所 雲林縣虎尾鎮文化路64號 2 國立虎尾科技大學電子工程系 雲林縣虎尾鎮文化路64號 摘 要 本論文研究動機是參考DLC的概念應用於LED的覆晶封裝上，嘗試在鋁基底部濺鍍沉積上 碳化矽來探討對鋁基金錫共晶接合結構上的影響。因為鋁無法進行電鍍等製程，因此將鋁表面 先進行鋅置換與無電鍍鎳後，再以電鍍製備金錫堆疊層。在實驗過程中發現到，因碳化矽與鋁 的熱膨脹系數差距過大，所以導致在進行熱壓合時，經過升、降溫後，會有薄膜剝離的狀況， 使得元件的可靠度降低。後再參考以碳化矽作為基材的LED結構，嘗試在碳化矽上方先濺鍍沉 積一層薄氮化鋁再濺鍍沉積鋁薄膜，因為碳化矽與氮化鋁不但熱膨脹係數接近，晶格常數也相 當接近，而鋁與氮化鋁的晶格也較為匹配，並由實驗印證，薄膜附著力得以提升，剝離的狀況 已大幅的改善，故將以此結構去探討對金錫共晶溫度與剪應力的關係，並找出最佳的共晶溫 度，去做SEM 、EDX 、XRD分析，確認較佳的合金相，再將此參數以黃光微影方式開出圖形， 並以LED作覆晶封裝，進行電性量測分析。 關鍵詞：濺鍍沉積、碳化矽、熱膨脹係數、金錫共晶、覆晶封裝 Effect of Silicon Carbide Thin Film on Al-Based AuSn Eutectic Bonding Joint 1 2 YUNG-CHUN YANG , AND WEN-RAY CHEN 1Graduate Institute of Electro-Optical and Materials Science , National Formosa University, Huwei Yunlin 632, Taiwan 2Department of Electronic Engineering, National Formosa University, Huwei Yunlin 632, Taiwan ABSTRACT In this study, we refer to the characteristic of the DLC structure on glass substrate. Therefore, the motivation is using the silicon carbide thin film deposited underneath the aluminum film. Then, the AuSn eutectic bonding joint structur