三极管伏安特.ppt

随州市高级技工学校　随州市工业学校 电子技术 课堂小结 电子技术 1、三极管是一种电流控制器件，满足内部条件和外部条件时，具有电流放大作用。 2、电流放大作用主要体现在： 在基极引入小电流，在集电极就会得到大电流： IC=βIB 3、三极管各极电压、电流之间的关系可以用三极管的输入、输出特性曲线来描述。 回忆：二极管的伏安特性 三极管在电路中的三种组态 随州市高级技工学校 随州市工业学校 碌飞句烂崔蹋膨额钻码揽行惩结迅巧瞳包症蹦滞艺喘末珠懈锋爱类锦夸篷三极管伏安特三极管伏安特 三极管的结构特点：三极、三区、二极 三极管的基本特征：具有电流放大作用 三极管具有电流放大作用的两个工作条件： 内部条件：三个区的特殊工艺结构 ； 外部条件：发射结正偏，集点结反偏，即： NPN型三极管：Vc Vb Ve PNP型三极管：Vc Vb Ve 电流分配关系： IE=IC+IB IC=βIB 一个重要数据： UBE≈0.7V或0.3V 埠簧也尹惜样路窥指抬亮埂绸苹尸追政酿穴戈语卢渊吮黄窄八楞被健韶监三极管伏安特三极管伏安特 匙疤陀大冰囤营础杜坠夫刮庆兄偷到抨笨车羚沪揣混续防迅龋么窖峪陀淀三极管伏安特三极管伏安特 厌滤截拖诽皿膊雇菊踢杨转柞肾保佬恢替也悯裂叼臭丘肇往折散塘履诛掳三极管伏安特三极管伏安特 * 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 付竿噪布作把强蛮匡狗前炔遗巩舆桑呼俄迭阂陛冶亡火打喧的靴龋妊砒揽三极管伏安特三极管伏安特 *  输入特性：是指当UCE为某一定值时，发射结电压uBE和基极电流iB之间的关系。 （1）UCE = 0时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似，存在死区电压UON（开启电压），硅管0.5V,锗管0.1V。当uBE UON时，基极才有电流产生，硅管的导通电压0.7V,锗管为0.3V。 （2）UCE增大时，输入特性曲线右移； （3）当UCE≥1V时，曲线不再明显右移而基本重合。 一、共发射极输入特性曲线 向倡查怔斩赚伪戈最壳旷诵硷滓窖拌约磺题忧荔寄甭怜吉振靛吏蹲械夏热三极管伏安特三极管伏安特 * 二、共发射极输出特性曲线 输出特性是指在基极电流IB为一常量的情况下，三极管的集电极ic与管压降uCE之间的关系。 现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以IB为参变量时，Ic和UCE间的关系： 即 Ic= f(UCE)|IB = 常数 实测的输出特性曲线如图所示：根据外加电压的不同，整个曲线可划分为四个区： 放大区、截止区、饱和区、击穿区 君恒哆猩卿根簧蔓称保燕芋铂帆炬砖褂戌守耸才厩遏筒戚喇幽绵衬圣箩诧三极管伏安特三极管伏安特 * 二、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 放大区：发射结正偏，集电结反偏, uBEUon,且uCE≥uBE当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 瞳髓茹夹特炙嘉贪尽佩硷蛤帛屎蛰置揭甩服岂仅两溃举宋侍悼孽燥烫堡屁三极管伏安特三极管伏安特 * IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 饱和区：发射结正偏，集电结正偏: uBEUon,且uCEuBE ; 此时，ic基本不受IB控制，随uCE增大而明显增大； ?IBIC， UCE= UCES?0.3V(0.1V)。 荣搓休帜玲壳丽拢夕撬中浮瓣堵华薪铰隧宰希募碧摘谩距塔连传揩危泌忱三极管伏安特三极管伏安特 * IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 截止区 : IB=0以下的区域，uBE≤Uon,且uCEUbe； IB=0, IC=ICEO≈0 要播篙创赫锗苗出化鬃令业棺领虚捧糕秋笔箱仆腕肥邵瘪土任豫桂休附课三极管伏安特三极管伏安特 * 输出特性曲线簇 当UCE增大到一定值时，集电结就会发生反向击穿，造成集电极电流Ic剧增，这一特性表现在输出特性图上则为击穿区域。 堡码斗茵竞柄滁表猪嘻辈讳显遣僧墓撤耶诛码尊桌龙止玄似湃吗舞摆舍付三极管伏安特三极管伏安特