1.55μmAlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 2$ ( % ( ， ， ， /G5 ?2$ SG ?( TU9V % （ ） !+$IQ%Q2$ ( Q !@(@+2 4.N4 *MRB8.4 B8S8.4 #% .FE9 ? *FK: ? BGL ? !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! ! ## $ %’()*%+,)*- 偏振无关半导体光 ! 放大器及其温度特性研究 ）） ） ） ） ） ! # ! $ ! 马 宏 陈四海 金锦炎 易新建 朱光喜 !）（华中科技大学光电子工程系，武汉 %$’% ） ）（华中科技大学电子与信息工程系，武汉 %$’% ） $ ）（武汉大学物理系，武汉 %$’ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $ ! !( % ! !( 采用低压金属有机气相外延（ ）设备生长并制作了 偏振无关半导体光放大器， )*+,-./0 !122 3 4567894:+89* ! 有源区为 周期的张应变量子阱结构，应变量为 ；器件制作成脊型波导结构，并采用 斜腔结构以有效抑制 $ + 1$2 ; ’ 腔面反射；经蒸镀减反膜后，半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于 ， 带宽为 ，半导体光放大 1$ = $ = 2 93 器小信号增益近=，带宽亦为2 93 ? 在!2$—!2@93 波长范围内偏振灵敏度小于 12=，峰值增益波长的饱和 输出功率达’=3；器件增益随温度的升高而减小，当器件工作温度从2A升高至(2A 时，增益降低小于$= ? 关键词：半导体技术， ，偏振无关， ，应变量子阱，半导体光放大器，增益 ,-./0 4567894:+89* ： ， ， ， -%.. %@B (@22 ’@C ’@(2D 料，较传统 材料， 半导体激 89674:*+89* 4567894:+89* !1 引 言 光器件由于具有更好的导带电子限制，从而具有更 好的温度特性， 的载流子浓