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AlGaInP-LED 发光阵列热场分析及散热设计.PDF

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AlGaInP-LED 发光阵列热场分析及散热设计

第 36 卷 第 10 期 发 光 学 报 Vol. 36 No. 10 2015 年 10 月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Oct. ,2015 文章编号: 1000-7032( 2015) 10-1212-08 AlGaInP-LED 发光 阵列热场分析及 散热设计 1 ,2 1 1 1* 1 1 1 , , , , , , 李 贺 梁静秋 梁中翥 王维彪 田 超 秦余欣 吕金光 ( 1. , 130033; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学 国家重点实验室 吉林 长春 2 . , 100049) 中国科学院大学 北京 摘要: 5 × 5 AlGaInP LED , 。 , 建立 了 材料 微阵列 的有 限元热分析模型 根据计算对模型进行 了简化 结果表明 , 1. 5 s 简化模型与原始模型的温度分 布规律基 本 一致 计 算 得到 的两 种模 型在 工作 时 的温度相对 误 差 为 0 . 8% 。 104 、 10 mm × 10 mm × 100 m , 1. 5 s 使用简化模型模拟 了含 个单元 尺寸为 μ 的芯片的温度场分布 工作 360 . 6 ℃ 。 , , , 时的芯片 中心温度 已达到 为解决其散热 问题 设计 了两种散热器 并对其结构进行 了优化 分析 了 、 、 。 翅片数量 翅片尺寸 粘结材料对芯片温度 的影响 关 键 词: 光学器件; 热学特性; 有 限元分析; LED 微阵列; 散热器 中图分类号: TN383 文献标识码: A DOI: 10 . 3788 / fgx. 1212 Thermal Field Analysis and Heat Dissipation Des

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