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GaN功率放大发展状态评测-AnalogDevices
技术文章
GaN功率放大发展状态
Walt DeMore 评测
ADI公司工程经理
但硅的热导率和电导率相对较差，抵消了其在高性能、高可靠
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性应用中的成本优势。这些器件的栅极长度小至0.2 μm ，支持
(
在毫米波频段工作。在许多高频应用以及所有低频应用 除对成
)
摘要 本最为敏感的应用之外 中，基于GaN 的器件已经在很大程度
( ) ( )
上取代了砷化镓GaAs 和硅横向扩散金属氧化物半导体LDMOS
GaN功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率
器件。
( )
的高功率连续波CW 和脉冲放大器成为可能。
RF功率放大器设计人员关注GaN器件，因为它们支持非常高的
( )
工作电压比GaAs高三到五倍 ，并且每单位FET栅极宽度容许的
( )
氮化镓GaN 功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平 电流大致是GaAs器件的两倍。这些特性对PA设计人员有重要意
作出了巨大贡献。通过减少器件的寄生元件，以及采用更短的 义，意味着在给定输出功率水平可以支持更高的负载阻抗。以
栅极长度和更高的工作电压，GaN 晶体管已实现更高的输出功 (
前基于GaAs或LDMOS的设计的输出阻抗常常极其低相对于50 Ω
率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。例如，2014年已做 )
或75 Ω的典型系统阻抗而言。低器件阻抗会限制可实现的带宽
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