NPN 硅高频大功率晶体管.PDF

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2017-06-13 发布于天津
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NPN 硅高频大功率晶体管

3DA96 NPN 硅高频大功率晶体管特点：该产品具有耐压高、特征频率高、小电流放大倍数大、二次击穿耐量高等优点。使用范围：该产品可广泛应用于模拟计算机功率输出，高、中、低频放大及开关电路。质量等级：国军标 JP、JT、JCT级，GS、G、G+级。执行标准：GJB33A-97， QZJ840611A， QZJ840611。技术参数：（Ta = 25°C ）参数名称参数符号单位规范值测试条件总耗散功率 P W 20 Tc≤75℃ tot 最大集电极电流 I A 2.5 CM 最高结温 T °C 175 jm 使用温度范围 T °C -55~+175 stg 集电极-发射极击穿 30~70 I =5mA V V C （BR）CEO 电压 E 发射极-基极击穿电压 V V ≥5 I =5mA （BR）EBO 集电极-发射极 I =1.5A，I =0.3A VCE（sat） V 2.0 C B 饱和电压降 CE 集电极-发射极漏电流 I mA 2.0