TCAD模拟软体18套 - 国家实验研究院.DOC

財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 『』 招標規範書 目的 本招標規格書適用於下述之設計、製造、及測試等之一般要求。若本招標規格書有任何疑慮依業主解釋為準。設備明細 系統整體需求規劃及規格建議如下：【數量：套】 部分( Monte Carlo)離子注入模型及先進的離子注入校準表，以及擴散模型。 製程模擬工具的應用包括: 可做一維，二維和三維製程以及製程整合模擬。 可根據license數目做多核心平行處理以縮短模擬時間，1個license至少需支援4個核心的平行處理，2個licenses至少需支援8個核心的平行處理，依此類推。 可直接讀Layout 的GDS file 當作光罩然後做元件製程模擬。 可做原子動態蒙地卡羅擴散(Atomistic Kinetic Monte Carlo Diffusion)模擬。 可做蒙地卡羅離子注入(Monte Carlo Ion Implantation)模擬。 可做IV族複合材料(SiGe、SiC) 製程以及應力、應變計算及模擬。 可做III-V以及II-VI族複合材料製程以及應力、應變計算及模擬。 可計算及模擬半導體在高溫擴散，熱氧化，矽化物生長，熱匹配失調，蝕刻和沈積等製程因素作用下產生的應力或應變效應。 設計並優化CMOS，雙極性和功率元件製程。 通過離子注入、擴散、氧化、矽化物生長、磊晶、蝕刻、沈積等步驟來預計一、二、三維的元件結構特性。 模擬隔離技術如LOCOS，SWAMI，深溝道隔離和淺溝道隔離(STI)。 研究離子注入技術，包括晶圓片傾斜和旋轉，遮罩，注入損傷，無定型結晶，氧化物篩選，離子溝道等各種效應 研究雜質擴散，包括氧化增強擴散(OED)，瞬態增強擴散 (TED)，空隙聚積，攙雜啟動和攙雜劑量損失 元件模擬部份 軟體內需具有業界標準的元件模擬工具，可以用來預期半導體元件的電性特性、溫度和光學特性。可以得到任意工作條件下電極的靜態和瞬態的電荷，電壓和電流。可以一、二、三維的方式對眾多元件進行模擬，包括MOSFET, SOI, DGMOS, Strained Silicon, FinFET, SiGe, BJT，HBT，功率RF元件，IGBT，HEMT，CCD等等。經由電位、電場、載流子、電流密度、電子複合與生成的分佈等方面深入瞭解元件的內部運行機制。同時，對於產業界目前興起的III-V族以及II-VI族複合材料元件，薄膜太陽能電池，LED，半導體雷射以及有機材料元件也要能夠做計算以及模擬。 元件模擬工具的應用包括: 可做一維，二維和三維的元件模擬。 可根據license數目做多核心平行處理以縮短模擬時間，1個license至少需支援4個核心的平行處理，2個licenses至少需支援8個核心的平行處理，依此類推。 可以和製程模擬整合在一模擬平台，以進行一體化模擬。 可做III-V族以及II-VI族複合材料元件，薄膜太陽能電池，以及有機材料元件的元件計算以及模擬。 可計算元件內的應力或應變對遷移率(mobility)的變化以及對元件效能的影響。 可同時做一維，二維和三維的元件以及電路模擬(Mixed-Mode)，例如3-stage Ring Oscillator。 可用蒙地卡羅元件(Monte Carlo Device)模擬來計算Band Structure以及因外加應力對Band Structure所產生的影響。 可做光學元件模擬，其模擬範圍包括各種半導體雷射；發光二極體(LEDs); CCD，太陽能電池（Solar Cell）。 對元件設計進行最佳化並找出理想的元件設計參數。 研究擊穿和失效的機制，如漏電流路徑和熱載子效應。 可直接打造設計元件用於元件模擬，無需製程模擬，以便進行先進元件的設計與研究。 可生成小型元件模型，以便對電路設計進行分析。 基本的兩維矽元件類比模組； 基本的電子輸運模型，複合模型，遷移率模型，碰撞電離模型； 基本的載流子統計模型，如Boltzmann統計； 帶隙變窄模型； 基本的量子修正模型，如VanDort模型； 三維元件模組； 包含模擬深亞微米元件的流體動力學電子輸運(HydroDynamics)輸運模型； 各種遂川模型，如Fowler-Nordheim，band-to-band遂川，熱電子發射, 直接遂穿等等； 高級的量子修正模型包括最嚴格的Schroedinger和量子修正的DensityGradient（密度梯度） 模型； 熱分析模組(ThermoDynamics)； 高級載流子統計模型，如Fermi統計，非完全電離效應； 提供SiGe元件的電，熱以及應力的性能分析； 雜訊問題分析，包括熱雜訊，1/f雜訊，產生和複合雜訊等； 元件陷阱(trap)模型，可定義不同陷阱分佈類型，種類，撲獲截面； PMI(P