电池线工序知识(六工序)分析.doc

工序知识概要 清洗工序知识 单晶和多晶 在整个晶体内,原子都是周期性的规则排列,称之为单晶.由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶. 工序流程是: 装片-- 清洗- -制绒--清洗--甩干--扩散--等离子刻蚀--去磷硅玻璃--甩干--镀膜-丝印一--烘干--丝印二--烘干--丝印三—烧结--下料--分类检测—包装 清洗腐蚀的目的和原理 现有单晶硅片是由长方体晶锭在多线切割锯切成一片片单晶硅方片,由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片，金刚砂硬度很高，会在硅片表面带来一定的机械损伤。如果损伤不去除，会影响太阳电池的填充因子,利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，争取表面反射率较低的表面织构. 尚德新厂 化学腐蚀的原理（单晶） 热的NaOH溶液去除硅片表面机械损伤层： HF去除硅片表面氧化层 多晶制绒反应方程 CrO3+SiO2 Cr3O2+SiO2 HCl去除硅片表面金属杂质 盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与 Pt 2+、Au 3+、 Ag +、Cu +、Cd 2+、Hg 2+等金属离子形成可溶于水的络合物。 碱性腐蚀优点是反应生成物无毒，不污染空气和环境。不像HF-HNO3酸性系统会生成有毒的NOx气体污染大气。另外，碱性系系统与硅反应，基本处于受控状态。有利于大面积硅片的腐蚀，可以保证一定的平行度。 单晶硅片的清洗和制绒 九槽清洗机（尚德新厂） 1 2 3 4 5 6 7 8 9 配液 HF 纯水 纯水 80土2)摄氏度 NaOH. Na2SiO3 异丙醇 NaOH. Na2SiO3 异丙醇 NaOH. 异丙醇 Na2SiO3 NaOH. 异丙醇 Na2SiO3 纯水 纯水 作用 一般用于做 返工片 超声清洗 二次漂洗 制绒 制绒 制绒 制绒 清洗 清洗 NaOH. 每次半瓶 Na2SiO3每次2瓶 异丙醇 每次2/3瓶 纯水是电阻率为18MΩ·cm的去离子水 单晶主要化学用品: NaOH. Na2SiO3 异丙醇 HF .HCL HF: 24小时换液一次 HCL: 48小时换液一次 硅片扩散前的清洗腐蚀工序标准工时： 44分钟 NaSiO3减缓 NaOH与硅反应的的速度,使其均匀反应。 多晶不需经过这道工序.一般只用三个制绒槽,如果绒面不好的时候要用四个槽. 浓度高的氢氧化钠溶液与硅进行化学反应的速度加快，反应相同时间后，金字塔的体积更大。当氢氧化钠的浓度超过了一定的界限，溶液的腐蚀力度过强，绒面会越来越差，直至出现类似“抛光“的效果. 八槽清洗机（尚德新厂） 1 2 3 4 5 6 7 8 配液 (任意一个 123槽) HF (任意一个 123槽) HF (任意一个 123槽) HF 纯水 纯水 HCL 纯水 喷淋 作用 去除氧化层和表面的硅酸钠 溢流水槽去除表面的HF酸残液 去除金属离子 去除残留的HCL液 除去所有的残留物 多晶硅片的清洗和制绒（尚德新厂） 1 2 3 4 5 6 7 8 配液 铬酸(2千克)、水 HF(60L) 铬酸(2千克)、水 HF(60L) 铬酸(2千克)、水 HF(60L) 纯水 纯水 HCL 纯水 喷淋 作用 制绒 溢流水槽去除表面的HF酸残液 去除金属离子 去除残留的HCL液 除去所有的残留物 多晶主要化学用品: 铬酸 HF 水 HCL 铬酸 HF : 24小时换液一次 HCL:12小时换液一次 多晶需用到八槽清洗机所有的槽,123为制绒槽. 甩干:前一分钟喷水,后290秒喷氮,5秒停机延时.5秒需要用到乙二醇控制油温. 异丙醇在制绒液中起两点作用：一，协助氢气泡的释放；二，可以减弱氢氧化钠对硅片的腐蚀力度。 氢氧化钠、硅酸钠与异丙醇的混合溶液对晶体硅进行腐蚀，可以制备出类似金字塔的结构表面。理想的绒面应是金字塔体积较小.大小均匀.覆盖率高. 尚能 单晶硅片的清洗和制绒(尚能) 九槽清洗机（尚能） 1 2 3 4 5 6 7 8 9 配液 纯水 纯水 80土2)摄氏度 备用 NaOH. Na2SiO3 异丙醇 NaOH. Na2SiO3 异丙醇 NaOH. 异丙醇 Na2SiO3 NaOH. 异丙醇 Na2SiO3 纯水 纯水 作用 超声清洗 二次漂洗 工艺调配 制绒 制绒 制绒 制绒 清洗 清洗 制绒时间:40分钟左右 八槽清洗机（尚能） 1 2 3 4 5 6 7 8 配液