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硅纳米线的制备分析
硅纳米线的制备;一、简介; 目前正在尝试用来制造新一代的“逻辑门”电路、计数器电路等，市场前景最看好的是用其制造太阳能电池板。一般的单晶硅太阳能电池板在太阳光这的波段的反射率高达35%，而在试验中，硅纳米线却能是反射率下降至5%以下，可以极大地提高太阳光的利用率，从而提高太阳能发电的效率。作为一种新材料，在具有极大市场和研究潜力的情况下，它的生产制备却是一个不小的问题。接下来，我们来了解一下它的制备方法。;2.制备方法;2.1基本反应原理;; 具体反应式为：
阴极反应：
阳极反应：
总反应：;2.2制备原理; 在 MACE 方法中，也可以结合模板精确的控制纳米线的尺寸和分布。Huang等人先在硅衬底上自主装一层聚苯乙烯（PS）球单层，然后通过 RIE（反应离子刻蚀） 刻蚀降低球的直径来形成模板。热蒸发一层贵金属层并在 HF+H2O2溶液中刻蚀形成SiNWs 阵列，过程如图所示。此方法中，PS 球模板使硅和贵金属催化剂分离从而阻止刻蚀，使有模板的地方形成柱状结构。
; 类似的利用多孔阳极氧化铝（AAO）模板制备了直径 8-15nm 的 SiNWs。其过程如图所示：（1）在硅衬底上制AAO/PS 复合层，带有 10-350nm 直径孔的 AAO 层可以方便的通过阳极氧化铝来制备；（2）聚苯乙烯（PS）层用来稳AAO 层，可通过在空气中加热到 400℃去除。（3）溅射镀银；（4）HF+H2O2溶液中刻蚀，AAO 层被 HF 去除，因而覆盖 AAO 膜的银网直接和硅接触；由于银网的催化速度比银颗粒的快，因此 AAO 孔所在处刻蚀慢，形成 SiNWs 阵列。
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;4.结语;谢谢观看！
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