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2017-06-15 发布于天津
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13003E1D 产品概述产品特点特征参数 3DD13003E1D 是硅 ● 开关损耗低符号额定值单位 NPN型功率开关晶体管，该 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V ● 高温特性好产品采用平面工艺，分压环 IC 1.3 A ● 合适的开关速度 P （T =25℃） 0.8 W 终端结构和少子寿命控制 ● 可靠性高 tot a 技术，集成了有源抗饱和网应用封装 TO-92 络，提高了产品的击穿电 ● 紧凑型电子节能灯压、开关速度和可靠性。 ● 电子镇流器 ● 一般功率开关电路存储条件和焊接温度内部结构图存放有效期存放条件极限耐焊接热 C 环境温度-10℃～40℃ B 1 年 265℃ 相对湿度＜85％ E 极限值除非另有规定，T = 25℃ a 参数名称符号额定值单位集电极-基极电压 VCBO 600 V 集电极-发射极电压 VCEO 400 V 发射极-基极电压 VEBO 9 V 集电极直流电流 IC 1.3 A 集电极脉冲电流（tp＜5ms） ICM 2.6 A 基极直流电流 I B 0.65 A B 基极脉冲电流（tp＜5ms） IBM 1.3 A 耗散功率