3—6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计 - 北京工业大学学报.PDF

第 38卷 第 8期 北 京 工 业 大 学 学 报 V01．38 NO．8 2012年 8月 JOURNALOFBEIJING UNIVERSITY OFTECHNOL0GY Aug．2012 3—6GHzSiGeHBTCascode低噪声放大器的设计 丁春宝，张万荣，谢红云，沈 飒，陈 亮，尤云霞，孙博韬，王任卿 (北京工业大学 电子信息与控制工程学院，北京 100124) 摘 要 ：基于 Jazz0．35¨mSiGe工艺设计一款满足 UWB和 IEEE802．11a标准的低噪声放大器．采用并联 电感峰 化技术与Cascode结构来展宽带宽；完成 了芯片版 图的设计 ，芯片面积为 1．16mm×0．78nil3；在带宽为3～6GHz范 围内，最大增益为26．9dB，增益平坦度为 ±0．9dB．放大器 的输入输 出匹配 良好 ，其 回波损耗 s 和 Js均小于 一l0 dB，输入与输出驻波 比小于 1．5，1dB压缩点为 一22．9dBm．在整个频段 内，放大器无条件稳定． 关键词 ：低噪声放大器 ；SiGe异质结双极 晶体管；达林顿对 中图分类号 ：TN722．3 文献标志码 ：A 文章编号 ：0254—0037(2012)08一l162—05 Designof3-·-6GHzSiGeHBT CascodeLow NoiseAmplifier DING Chun—bao，ZHANG Wan—rong，XIE Hong—yun，SHEN Pei，CHEN Liang， YOU Yun—xia，SUN Bo—tao，WANG Ren—qing (SchoolofElectronicInformationandControlEngineering，BeijingUniversityofTechnology，Beijing，100124，China) Abstract：BasedonJazz0．35LLmSiGeprocess，aSiGeHBTlow—noiseamplifier(LNA)forUWBand IEEE 802．11a application is presented． The technology of inductive shuntpeaking and cascade configurationisadoptedtoenhancethebandwidth．Finally．thechiplayoutisdesignedwithitsarea1．16× 0．78mm ．Fortherangeof3—6GHzbandwidth，themaximum powergainis26．9dB，andgainflatness is±0．9dB．Theinputandoutputmatchwell，inputandoutputreflections(S11andS22)arebothless than 一10dB，theinputVSWR andoutputVSWR arebothlessthan 1．5，andthe1dB compression pointis ——22．9dBm．TheLNA isunconditionallystable inthewholeband． Keywords：lownoiseamplifier；SiGeheterojunctionbipolartransistor；Darlingtonpair 2002年联邦通信 委员会 (federal 网(wirelesslocalareanetwork，WLAN)的通信标准， cationscommission，FCC)准 许 超 宽 带 (uhra— 其 IEEE802．11a工作在 5．8GHz频段 ，除了不受 向 wideband，UWB)无线通信技术民用 ，满足了高速通 下兼容性 的限制外 ，同频段系统之间的干扰也很小 ， 信系统的需求 ．超宽带技术是一种具有高数据传 因而比较适合高密度、高容量的