C3192 广东省粤晶高科股份有限公司.PDF

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2017-06-15 发布于天津
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C3192 广东省粤晶高科股份有限公司

广东省粤晶高科股份有限公司 C3192 —NPN silicon — ■■主要用途：高频、甚高频放大及振荡等。 Ta 25 ■■绝对最大额定值（＝ ℃）项目符号额定值单位集电极—基极电压 VCBO 35 V 集电极—发射极电压 VCEO 30 V 发射极—基极电压 VEBO 4 V 集电极电流 IC 50 mA 集电极耗散功率 PC 625 mW 结温 TJ 150 ℃ Tstg 55~150 存储温度 ﹣ ℃ Ta=25 ■■电参数（ ℃）项目符号最小值典型值最大值单位测试条件直流电流增益 hFE 40 240 VCE= 12 V，Ic= 2 mA 0.1 VCB= 35 V ，IE=0 - ICBO A 集电极基极截止电流 μ 1 VEB= 4 V ，Ic=0 - IEBO A 发射极基极截止电流 μ 35 - BVCBO V Ic= 0.1 mA IE=0 集电极基极击穿电压， 30 - BVCEO V Ic= 1 mA IB=0 集电极发射极击穿电压， 4 - BVEBO V IE= 0.1 mA Ic=0 发射极基极击穿电压， 0.7 1 - VBE V VCE= 10 V Ic= 1 mA 基极发射极电压， 0.4 -