D209L - 维库电子市场网.PDF

R 3DD209L低频放大管壳额定的双极型晶体管 D209L 产品特性 ◆高耐压 ◆高电流容量 ◆高开关速度 ◆高可靠性 主要用途 ◆高频开关电源 ◆电子镇流器 ◆高频功率变换 ◆一般功率放大电路 引线端序号及等效电路图 概述 3DD209L是NPN双极型大功率晶体管，制造中采用 的主要工艺技术有：高压平面工艺技术、三重扩散技 术等，并且采取了能够最大限度的兼顾电流容量与耐 电冲击性的发射区网格的横向设计。 绝对最大额定值(Tc=25℃) 项 目 符 号 数 值 单 位 集电极—基极直流电压 VCBO 700 V 集电极—发射极直流电压 VCEO 400 V 发射极—基极直流电压 VEBO 9 V 最大集电极直流电流 （DC） Ic 12 A 最大集电极脉冲电流（pulse） Icp 24 A 最大基极直流电流 IB 6 A 最大集电极耗散功率 Pc 120 W 最高结温 Tj 150 ℃ 贮存温度 Tstg -55~+150 ℃ 2004.01 1/5 D209L 电特性 (Tc=25℃) 项 目 符 号 测试条件 最小值 最大值 单位 集电极—发射极维持电压 VCEO(SUS)Ic=10mA,IB=0 400 V 集电极—基极击穿电压 V(BR)CBOIc=1mA,IB=0 700 V 发射极—基极击穿电压 V(BR)EBOIE=1mA,Ic=0 9 V 集电极—基极反向漏电流 ICBO VCB=700V, IE=0 100 μA 集电极—发射极反向漏电流ICEO VCE=400V,IB=0 50 μA 发射极—基极反向漏电流 IEBO VEB=7V, IC=0 10 μA hFE(1) VCE=5V,C=5AI 8 40 直流电流增益 hFE(2) VCE=5V,C=8AI 5 VCE(sat)(1)IC=5A,B=1AI 1.2 V 集电极—发射极饱和压降 VCE(sat)(2)IC=8A,B=1.6AI 1.6 V 基极—发射极饱和压降 VBE(sat)IC=8A,B=1.6AI