FCS957 描述主要特性订购信息极限工作条件范围(TA=25℃) hFE 规格.PDF

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2017-06-15 发布于天津
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FCS957 描述主要特性订购信息极限工作条件范围(TA=25℃) hFE 规格.PDF

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FCS957 描述主要特性订购信息极限工作条件范围(TA=25℃) hFE 规格

FCS957 NPN SILICON RF TRANSISTOR 描述 FCS957是上海镭芯微电子有限公司生产的超高频低噪声晶体管，采用平面NPN硅外延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性，采用 SOT-323贴片式封装，主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。主要特性高增益:︱S21 ︱典型值为12dB2 @ VCE=6V，IC=30mA，f=1GHz 低噪声: NF典型值为1.5dB @ VCE=6V，IC=5mA，f=1GHz 增益带宽乘积:fT典型值为8GHz @ VCE=6V，IC=30mA，f=1GHz 订购信息产品号标准包装 FCS957 3K/盘极限工作条件范围 (TA=25℃) 参数符号极值单位集电极基极击穿电压 VCBO 20 V 集电极发射极击穿电压 VCEO 10 V 发射极基极击穿电压 VEBO 1.5 V 集电极电流 IC 100 mA 功耗 PC 100 mW 结温度 Tj 175 ºC 存储温度 Tstg -65 +150~ ºC hFE规格分档 A B C D E 标号 W2 hFE 60-100 90-140 130-180 170-250 250-300 LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD - 1 - FCS957 NPN SILICON RF TRANSISTOR 电学特性 (TA=25℃) 参数符号最小典型最大单位测试条件集电极基极击穿电压 VCBO 20 V IC=100uA 集电极基极漏电流 ICBO 0.1 µA VCB=10V 发射极基极漏电流 IEBO 0.1 µA VEB=1V 直流增益 hFE 60 150 300 VCE=6V,IC=5mA 增益带宽乘积 fT 8 GHz VCE=6V,IC=30mA,f=1GHz 输出反馈电容 Cre 0.4 pF VCB=6V,IC=0mA,f=1MHz 2