HBS170-汕头华汕电子器件有限公司.PDF

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HBS170 对应国外型号 BS170 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 高速开关应用，小型马达驱动，大功率MOSFET 栅极驱动等。 TO-92 █ 极限值 （T =25 ℃） a T s t g ——贮存温度………………………………… - 5 5 ~ 1 5 0 ℃ T j ——结温………………………………………… - 5 5 ~ 1 5 0 ℃ 1―漏 极D V D S S ——漏极—源极电压…………………………………6 0 V 2 ―栅 极G 3 ―源 极S VDGR —— 漏极—栅极电压(RGS ≤1M Ω) ……………………………… 60V V G S ——栅极—源极电压………………………………… ± 2 0 V I D ——漏极电流（T c = 2 5 ℃）…………………………………5 0 0 mA P D ——耗散功率 （T c = 2 5 ℃）………………………………0 . 8 3 W █ 电参数 （T =25 ℃） a 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 BVDSS 漏—源极击穿电压 60 V ID=100µA，VGS=0 IDSS 零栅压漏极电流 0.5 µA VDS=25V，VGS=0 IGSSF 栅极泄漏电流 10 nA VGS=15V，VDS=0 VGS （th ） 栅—源极开启电压 0.8 3.0 V VDS=VGS，ID=1mA RDS （on） 漏—源极导通电阻 5 Ω VGS=10V，ID=200mA gfs 正向跨导 320 mS VDS=10V，ID=200mA Ciss 输入电容 24 40 pF Coss 输出电容 17 30 pF VDS=10V ，VGS=0 ， Crss 反向传输电容 7 10 pF f=1MHz T （on） 导通延迟时间 10 ns VDD=25V，ID=200mA， T （off） 断开延迟时间 10 ns VGS=10V，RG=25 Ω 1