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HBS170-汕头华汕电子器件有限公司
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
汕头华汕电子器件有限公司
HBS170 对应国外型号
BS170
█ 主要用途 █ 外形图及引脚排列
高速开关应用,小型马达驱动,大功率MOSFET 栅极驱动等。 TO-92
█ 极限值 (T =25 ℃)
a
T s t g ——贮存温度………………………………… - 5 5 ~ 1 5 0 ℃
T j ——结温………………………………………… - 5 5 ~ 1 5 0 ℃
1―漏 极D
V D S S ——漏极—源极电压…………………………………6 0 V 2 ―栅 极G
3 ―源 极S
VDGR —— 漏极—栅极电压(RGS ≤1M Ω) ……………………………… 60V
V G S ——栅极—源极电压………………………………… ± 2 0 V
I D ——漏极电流(T c = 2 5 ℃)…………………………………5 0 0 mA
P D ——耗散功率 (T c = 2 5 ℃)………………………………0 . 8 3 W
█ 电参数 (T =25 ℃)
a
参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件
BVDSS 漏—源极击穿电压 60 V ID=100µA,VGS=0
IDSS 零栅压漏极电流 0.5 µA VDS=25V,VGS=0
IGSSF 栅极泄漏电流 10 nA VGS=15V,VDS=0
VGS (th ) 栅—源极开启电压 0.8 3.0 V VDS=VGS,ID=1mA
RDS (on) 漏—源极导通电阻 5 Ω VGS=10V,ID=200mA
gfs 正向跨导 320 mS VDS=10V,ID=200mA
Ciss 输入电容 24 40 pF
Coss 输出电容 17 30 pF VDS=10V ,VGS=0 ,
Crss 反向传输电容 7 10 pF f=1MHz
T (on) 导通延迟时间 10 ns VDD=25V,ID=200mA,
T (off) 断开延迟时间 10 ns VGS=10V,RG=25 Ω
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