网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

HBS170-汕头华汕电子器件有限公司.PDF

  1. 1、本文档被系统程序自动判定探测到侵权嫌疑,本站暂时做下架处理。
  2. 2、如果您确认为侵权,可联系本站左侧在线QQ客服请求删除。我们会保证在24小时内做出处理,应急电话:400-050-0827。
  3. 3、此文档由网友上传,因疑似侵权的原因,本站不提供该文档下载,只提供部分内容试读。如果您是出版社/作者,看到后可认领文档,您也可以联系本站进行批量认领。
查看更多
HBS170-汕头华汕电子器件有限公司

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HBS170 对应国外型号 BS170 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 高速开关应用,小型马达驱动,大功率MOSFET 栅极驱动等。 TO-92 █ 极限值 (T =25 ℃) a T s t g ——贮存温度………………………………… - 5 5 ~ 1 5 0 ℃ T j ——结温………………………………………… - 5 5 ~ 1 5 0 ℃ 1―漏 极D V D S S ——漏极—源极电压…………………………………6 0 V 2 ―栅 极G 3 ―源 极S VDGR —— 漏极—栅极电压(RGS ≤1M Ω) ……………………………… 60V V G S ——栅极—源极电压………………………………… ± 2 0 V I D ——漏极电流(T c = 2 5 ℃)…………………………………5 0 0 mA P D ——耗散功率 (T c = 2 5 ℃)………………………………0 . 8 3 W █ 电参数 (T =25 ℃) a 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 BVDSS 漏—源极击穿电压 60 V ID=100µA,VGS=0 IDSS 零栅压漏极电流 0.5 µA VDS=25V,VGS=0 IGSSF 栅极泄漏电流 10 nA VGS=15V,VDS=0 VGS (th ) 栅—源极开启电压 0.8 3.0 V VDS=VGS,ID=1mA RDS (on) 漏—源极导通电阻 5 Ω VGS=10V,ID=200mA gfs 正向跨导 320 mS VDS=10V,ID=200mA Ciss 输入电容 24 40 pF Coss 输出电容 17 30 pF VDS=10V ,VGS=0 , Crss 反向传输电容 7 10 pF f=1MHz T (on) 导通延迟时间 10 ns VDD=25V,ID=200mA, T (off) 断开延迟时间 10 ns VGS=10V,RG=25 Ω 1

文档评论(0)

170****0571 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档